Calcular una curva C–V de un condensador MOS

Aplique las entradas de un condensador ideal de Si/SiO₂, calcule la capacitancia LF y HF por unidad de área y guarde un documento de proyecto MOS-C.

Antes de comenzar

Estos pasos se aplican a Cloud 2.1.2.10 y Windows 2.1.2.3.

El modelo MOS-C calcula localmente un condensador ideal unidimensional de Si/SiO₂, con carga y capacitancia por unidad de área.

En Cloud, detenga el entorno de ejecución del proyecto antes de ejecutar el cálculo del dispositivo y de guardar o abrir documentos del proyecto.

Configurar las entradas del condensador

  1. En la cabecera de la ventana, abra el menú de productos y elija vFactory > Proceso de obleas & Fabricación. Seleccione Modelos de proceso y, después, Dispositivo (MOS-C).

  2. En Entradas MOS-C (SI), elija p o n en Tipo de sustrato. Introduzca Dopaje del sustrato (m⁻³), Espesor del óxido (m), Diferencia de función de trabajo (V) y Temperatura (K).

  3. Introduzca Nodos de malla (33–129) y valores separados por comas en Voltajes de puerta crecientes (V). Utilice 1–32 tensiones crecientes que no se alejen más de 3 V de la diferencia de función de trabajo.

  4. Seleccione Aplicar entradas. Para editar la solicitud completa, expanda Entradas avanzadas y edite Solicitud JSON (SI).

Ejecutar y consultar los resultados

  1. Seleccione Ejecutar simulación MOS-C. Durante el cálculo, seleccione Cancelar simulación MOS-C para detenerlo.

  2. Consulte Capacitancia–voltaje LF/HF en F/m², Potencial superficial (V) y Carga del semiconductor (C/m²). El resumen muestra la tensión de banda plana, la tensión umbral y la capacitancia del óxido por unidad de área.

  3. Consulte Puntos calculados y convergencia para ver cada tensión de puerta, la capacitancia LF/HF, la región, las iteraciones y el residuo.

  4. Expanda Procedencia de ejecución y supuestos para examinar los hashes de entrada, resultado y motor, la revisión de la fuente, la malla y los supuestos del modelo.

Guardar y abrir un documento de proyecto

  1. Mantenga seleccionado el proyecto utilizado para este cálculo, con el acceso a los archivos del proyecto habilitado.

  2. Seleccione Guardar MOS-C en el proyecto. Al guardar por primera vez, introduzca un nombre nuevo en Nombre de archivo del documento del proyecto y seleccione Guardar documento del proyecto. Mantenga la terminación .alcad-device-mos.json del nombre de archivo en Windows; Cloud añade esta terminación cuando introduce un nombre sin extensión.

  3. Seleccione Guardar MOS-C en el proyecto de nuevo para actualizar el archivo abierto o guardado. Para crear otro archivo, seleccione Guardar MOS-C como archivo del proyecto, introduzca un nombre de archivo nuevo y seleccione Guardar documento del proyecto.

  4. Seleccione Abrir MOS-C del proyecto, elija el archivo en Documento del proyecto y seleccione Abrir documento del proyecto. Si hay un borrador sin guardar, seleccione Reemplazar el borrador no guardado actual con este archivo. antes de abrirlo.

Ejecute su primer modelo de proceso en vFactory