Importar entradas de proceso preparadas para un condensador MOS
Revise los detalles de origen y conversión de las entradas MOS preparadas y, después, adóptelas para calcular un condensador o conserve las entradas directas.
Antes de comenzar
Estos pasos se aplican a Cloud 2.1.2.10 y Windows 2.1.2.3.
Tenga preparado un archivo JSON que contenga una salida MOS de proceso preparada y satisfactoria. Las entradas importadas describen un sustrato uniforme de condensador MOS y un espesor ideal de óxido de SiO₂.
En Cloud, detenga el entorno de ejecución del proyecto antes de ejecutar el cálculo del dispositivo y de guardar o abrir documentos del proyecto.
Importar y revisar las entradas preparadas
En la cabecera de la ventana, abra el menú de productos y elija vFactory > Proceso de obleas & Fabricación. Seleccione Modelos de proceso y, después, Dispositivo (MOS-C).
Seleccione Importar entrada MOS de proceso preparada y elija el archivo JSON preparado.
Revise source, sourceModel, sourceInputSha256 y sourceResultSha256 en la vista previa. Compruebe en conversion la ventana de origen, las unidades, la polaridad, el dopaje y el espesor del óxido; compruebe los parámetros MOS-C en preparedInput.
Seleccione Confirmar entrada MOS preparada para adoptar las entradas de la vista previa. Para conservar las entradas directas actuales, seleccione Usar entradas MOS directas.
Calcular y examinar las entradas adoptadas
Expanda Procedencia del proceso para examinar el registro de origen adoptado, ownerSha256 y sourceRevision.
Seleccione Ejecutar simulación MOS-C. Consulte los gráficos de capacitancia LF/HF, potencial superficial y carga del semiconductor, así como la tabla de convergencia.
Para volver a las entradas directas, seleccione Usar entradas MOS directas, edite Entradas MOS-C (SI) y seleccione Aplicar entradas.