Calculer une courbe C–V de condensateur MOS
Appliquez les entrées d’un condensateur idéal Si/SiO₂, calculez les capacités LF et HF par unité de surface et enregistrez un document de projet MOS-C.
Avant de commencer
Ces étapes s’appliquent à Cloud 2.1.2.10 et Windows 2.1.2.3.
Le modèle MOS-C calcule localement un condensateur idéal unidimensionnel Si/SiO₂, avec une charge et une capacité par unité de surface.
Dans Cloud, arrêtez l’environnement d’exécution du projet avant d’exécuter le calcul du composant et d’enregistrer ou d’ouvrir des documents de projet.
Définir les entrées du condensateur
Dans l’en-tête de la fenêtre, ouvrez le menu des produits et choisissez vFactory > Fabrication et procédés de tranches. Sélectionnez Modèles de procédé, puis Composant (MOS-C).
Dans Entrées MOS-C (SI), choisissez p ou n sous Type de substrat. Saisissez Dopage du substrat (m⁻³), Épaisseur de l’oxyde (m), Différence de travail de sortie (V) et Température (K).
Saisissez Nœuds du maillage (33–129) et des valeurs séparées par des virgules dans Tensions de grille croissantes (V). Utilisez 1–32 tensions croissantes dont l’écart par rapport à la différence de travail de sortie ne dépasse pas 3 V.
Sélectionnez Appliquer les entrées. Pour modifier la requête complète, développez Paramètres avancés et modifiez Requête JSON (SI).
Exécuter le calcul et lire les résultats
Sélectionnez Lancer la simulation MOS-C. Pendant le calcul, sélectionnez Annuler la simulation MOS-C pour l’arrêter.
Consultez Capacité–tension BF/HF en F/m², Potentiel de surface (V) et Charge du semi-conducteur (C/m²). Le résumé indique la tension de bandes plates, la tension de seuil et la capacité de l’oxyde par unité de surface.
Consultez Points calculés et convergence pour chaque tension de grille, la capacité LF/HF, la région, les itérations et le résidu.
Développez Provenance de l’exécution et hypothèses pour examiner les empreintes de l’entrée, du résultat et du moteur, la révision de la source, le maillage et les hypothèses du modèle.
Enregistrer et ouvrir un document de projet
Gardez sélectionné le projet utilisé pour ce calcul, avec l’accès aux fichiers du projet activé.
Sélectionnez Enregistrer MOS-C dans le projet. Lors du premier enregistrement, saisissez un nouveau nom dans Nom de fichier du document du projet, puis sélectionnez Enregistrer le document de projet. Conservez la terminaison .alcad-device-mos.json du nom de fichier sous Windows ; Cloud ajoute cette terminaison lorsque vous saisissez un nom sans extension.
Sélectionnez à nouveau Enregistrer MOS-C dans le projet pour mettre à jour le fichier ouvert ou enregistré. Pour créer un autre fichier, sélectionnez Enregistrer MOS-C comme fichier du projet, saisissez un nouveau nom de fichier et sélectionnez Enregistrer le document de projet.
Sélectionnez Ouvrir MOS-C depuis le projet, choisissez le fichier dans Document du projet. et sélectionnez Ouvrir le document de projet. Si un brouillon n’est pas enregistré, sélectionnez Remplacer le brouillon non enregistré actuel par ce fichier. avant de l’ouvrir.