计算 MOS 电容器的 C–V 曲线
应用理想 Si/SiO₂ 电容器的输入，计算单位面积的 LF 和 HF 电容，并保存 MOS-C 项目文档。
开始之前
这些步骤适用于 Cloud 2.1.2.10 和 Windows 2.1.2.3。
MOS-C 模型在本地计算理想的一维 Si/SiO₂ 电容器，电荷和电容均以单位面积的值表示。
在 Cloud 上，运行器件计算以及保存或打开项目文档之前，请先停止项目运行时。
设置电容器输入
在窗口标题栏打开产品菜单，选择“vFactory”>“晶圆工艺与制造”。选择“工艺模型”，然后选择“器件 (MOS-C)”。
在“MOS-C 输入 (SI)”的“衬底类型”中选择 p 或 n。输入“衬底掺杂 (m⁻³)”、“氧化层厚度 (m)”、“功函数差 (V)”和“温度 (K)”。
输入“网格节点 (33–129)”，并在“递增栅极电压 (V)”中输入以逗号分隔的值。使用 1–32 个递增电压，与功函数差的差值须在 3 V 以内。
选择“应用输入”。如需编辑完整请求，请展开“高级输入”并编辑“请求 JSON (SI)”。
运行并查看结果
选择“运行 MOS-C 仿真”。计算期间可选择“取消 MOS-C 仿真”以停止计算。
查看以 F/m² 为单位的“低频 / 高频 电容–电压”，以及“表面电势 (V)”和“半导体电荷 (C/m²)”。摘要会显示平带电压、阈值电压和单位面积的氧化层电容。
在“计算点和收敛”中查看各栅极电压、LF/HF 电容、区域、迭代次数和残差。
展开“执行来源和假设”，查看输入、结果和引擎的哈希值、源修订版本、网格及模型假设。
保存并打开项目文档
保持选中此计算所使用的项目，并启用项目文件访问。
选择“保存 MOS-C 到项目”。首次保存时，请在“项目文档文件名”中输入新名称，然后选择“保存项目文档”。在 Windows 上请保留文件名末尾的 .alcad-device-mos.json；在 Cloud 上，仅输入名称时会自动添加此结尾。
再次选择“保存 MOS-C 到项目”即可更新已打开或已保存的文件。如需创建另一个文件，请选择“将 MOS-C 另存为项目文件”，输入新文件名，然后选择“保存项目文档”。
选择“从项目打开 MOS-C”，在“项目文档”中选择文件，然后选择“打开项目文档”。如果有尚未保存的草稿，请在打开前选择“用此文件替换当前未保存的草稿。”。