Расчёт C–V-характеристики MOS-конденсатора

Задайте входные данные идеального конденсатора Si/SiO₂, рассчитайте ёмкость LF и HF на единицу площади и сохраните документ проекта MOS-C.

Перед началом работы

Эти действия применимы к Cloud 2.1.2.10 и Windows 2.1.2.3.

Модель MOS-C локально рассчитывает идеальный одномерный конденсатор Si/SiO₂ с зарядом и ёмкостью на единицу площади.

В Cloud остановите среду выполнения проекта перед запуском расчёта прибора и сохранением или открытием документов проекта.

В заголовке окна откройте меню продуктов и выберите vFactory > Процесс пластины и фабрика. Выберите Модели процессов, затем Прибор (MOS-C).
В Входные данные MOS-C (СИ) выберите p или n в поле Тип подложки. Введите Легирование подложки (m⁻³), Толщина оксида (m), Разность работ выхода (V) и Температура (K).
Введите Узлы сетки (33–129) и значения через запятую в Возрастающие напряжения затвора (V). Используйте 1–32 возрастающих значения напряжения, отклоняющихся от разности работ выхода не более чем на 3 V.
Выберите Применить данные. Чтобы изменить запрос целиком, разверните Расширенные параметры и измените Запрос JSON (СИ).

Выберите Запустить расчёт MOS-C. Во время расчёта выберите Отменить расчёт MOS-C, чтобы остановить его.
Просмотрите НЧ / ВЧ ёмкость–напряжение в F/m², Поверхностный потенциал (V) и Заряд полупроводника (C/m²). В сводке показаны напряжение плоских зон, пороговое напряжение и ёмкость оксида на единицу площади.
В Расчётные точки и сходимость просмотрите каждое напряжение затвора, ёмкость LF/HF, область, число итераций и невязку.
Разверните Происхождение расчёта и допущения, чтобы проверить хеши входных данных, результата и расчётного движка, ревизию источника, сетку и допущения модели.

Оставьте выбранным проект, использованный для этого расчёта, с включённым доступом к файлам проекта.
Выберите Сохранить MOS-C в проект. При первом сохранении введите новое имя в Имя файла документа проекта, затем выберите Сохранить документ проекта. В Windows сохраните окончание имени файла .alcad-device-mos.json; Cloud добавляет его, если вы вводите только имя.
Выберите Сохранить MOS-C в проект ещё раз, чтобы обновить открытый или сохранённый файл. Чтобы создать другой файл, выберите Сохранить MOS-C новым файлом проекта, введите новое имя файла и выберите Сохранить документ проекта.
Выберите Открыть MOS-C из проекта, укажите файл в Документ проекта и выберите Открыть документ проекта. Если есть несохранённый черновик, перед открытием файла выберите Заменить текущий несохранённый черновик этим файлом.