計算 MOS 電容器的 C–V 曲線
套用理想 Si/SiO₂ 電容器的輸入，計算單位面積的 LF 與 HF 電容，並儲存 MOS-C 專案文件。
開始之前
這些步驟適用於 Cloud 2.1.2.10 與 Windows 2.1.2.3。
MOS-C 模型在本機計算理想的一維 Si/SiO₂ 電容器，電荷與電容均以單位面積的值表示。
在 Cloud 上，執行元件計算以及儲存或開啟專案文件之前，請先停止專案執行階段。
設定電容器輸入
在視窗標頭開啟產品選單，選擇「vFactory」>「晶圓製程與晶圓廠」。選取「製程模型」，再選取「元件 (MOS-C)」。
在「MOS-C 輸入 (SI)」的「基板類型」中選擇 p 或 n。輸入「基板摻雜 (m⁻³)」、「氧化層厚度 (m)」、「功函數差 (V)」及「溫度 (K)」。
輸入「網格節點 (33–129)」，並在「遞增閘極電壓 (V)」中輸入以逗號分隔的值。使用 1–32 個遞增電壓，與功函數差的差距須在 3 V 以內。
選取「套用輸入」。若要編輯完整請求，請展開「進階輸入」並編輯「請求 JSON (SI)」。
執行並檢視結果
選取「執行 MOS-C 模擬」。計算期間可選取「取消 MOS-C 模擬」以停止計算。
檢視以 F/m² 為單位的「低頻 / 高頻 電容–電壓」，以及「表面電位 (V)」和「半導體電荷 (C/m²)」。摘要會顯示平帶電壓、臨界電壓及單位面積的氧化層電容。
在「計算點與收斂」中檢視各閘極電壓、LF/HF 電容、區域、迭代次數與殘差。
展開「執行來源與假設」，檢視輸入、結果與引擎的雜湊值、來源修訂版本、網格及模型假設。
儲存並開啟專案文件
保持選取此計算所使用的專案，並啟用專案檔案存取。
選取「儲存 MOS-C 至專案」。首次儲存時，請在「專案文件檔名」輸入新名稱，再選取「儲存專案文件」。在 Windows 上請保留檔案名稱結尾的 .alcad-device-mos.json；在 Cloud 上，僅輸入名稱時會自動加上此結尾。
再次選取「儲存 MOS-C 至專案」即可更新已開啟或已儲存的檔案。若要建立另一個檔案，請選取「將 MOS-C 另存為專案檔案」，輸入新檔案名稱，再選取「儲存專案文件」。
選取「從專案開啟 MOS-C」，在「專案文件」選擇檔案，再選取「開啟專案文件」。若有尚未儲存的草稿，請在開啟前選取「以此檔案取代目前未儲存的草稿。」。