Calcolare la curva C–V di un condensatore MOS
Applica i dati di ingresso di un condensatore ideale Si/SiO₂, calcola la capacità LF e HF per unità di area e salva un documento di progetto MOS-C.
Prima di iniziare
Questi passaggi si applicano a Cloud 2.1.2.10 e Windows 2.1.2.3.
Il modello MOS-C calcola localmente un condensatore ideale monodimensionale Si/SiO₂, con carica e capacità per unità di area.
Su Cloud, arresta il runtime del progetto prima di eseguire il calcolo del dispositivo e di salvare o aprire documenti di progetto.
Impostare i dati di ingresso del condensatore
Nell'intestazione della finestra, apri il menu dei prodotti e scegli vFactory > Processo & Fabbrica dei wafer. Seleziona Modelli di processo, quindi Dispositivo (MOS-C).
In Input MOS-C (SI), scegli p o n in Tipo di substrato. Inserisci Drogaggio del substrato (m⁻³), Spessore dell’ossido (m), Differenza della funzione lavoro (V) e Temperatura (K).
Inserisci Nodi della mesh (33–129) e valori separati da virgole in Tensioni di gate crescenti (V). Usa 1–32 tensioni crescenti che si discostino al massimo di 3 V dalla differenza della funzione lavoro.
Seleziona Applica input. Per modificare l'intera richiesta, espandi Parametri avanzati e modifica Richiesta JSON (SI).
Eseguire il calcolo e leggere i risultati
Seleziona Esegui simulazione MOS-C. Durante il calcolo, seleziona Annulla simulazione MOS-C per interromperlo.
Leggi Capacità–tensione LF/HF in F/m², Potenziale superficiale (V) e Carica del semiconduttore (C/m²). Il riepilogo mostra la tensione di banda piatta, la tensione di soglia e la capacità dell'ossido per unità di area.
Consulta Punti calcolati e convergenza per ogni tensione di gate, la capacità LF/HF, la regione, le iterazioni e il residuo.
Espandi Provenienza dell’esecuzione e ipotesi per esaminare gli hash di input, risultato e motore, la revisione della sorgente, la mesh e le ipotesi del modello.
Salvare e aprire un documento di progetto
Mantieni selezionato il progetto usato per questo calcolo, con l'accesso ai file di progetto abilitato.
Seleziona Salva MOS-C nel progetto. Al primo salvataggio, inserisci un nuovo nome in Nome del file del documento del progetto, quindi seleziona Salva documento del progetto. Su Windows, mantieni la terminazione .alcad-device-mos.json nel nome del file; Cloud la aggiunge quando inserisci solo un nome.
Seleziona nuovamente Salva MOS-C nel progetto per aggiornare il file aperto o salvato. Per creare un altro file, seleziona Salva MOS-C come file di progetto, inserisci un nuovo nome di file e seleziona Salva documento del progetto.
Seleziona Apri MOS-C dal progetto, scegli il file in Documento del progetto e seleziona Apri documento del progetto. Se è presente una bozza non salvata, prima di aprire il file seleziona Sostituisci la bozza non salvata corrente con questo file.