Calcular a curva C–V de um capacitor MOS

Aplique entradas de um capacitor ideal de Si/SiO₂, calcule a capacitância LF e HF por unidade de área e salve um documento de projeto MOS-C.

Antes de começar

Estas etapas se aplicam ao Cloud 2.1.2.10 e ao Windows 2.1.2.3.

O modelo MOS-C calcula localmente um capacitor ideal unidimensional de Si/SiO₂, com carga e capacitância por unidade de área.

No Cloud, pare o runtime do projeto antes de executar o cálculo do dispositivo e de salvar ou abrir documentos do projeto.

Definir as entradas do capacitor

  1. No cabeçalho da janela, abra o menu de produtos e escolha vFactory > Processo & Fabricação de Wafer. Selecione Modelos de processo e, em seguida, Dispositivo (MOS-C).

  2. Em Entradas MOS-C (SI), escolha p ou n em Tipo de substrato. Insira Dopagem do substrato (m⁻³), Espessura do óxido (m), Diferença de função trabalho (V) e Temperatura (K).

  3. Insira Nós da malha (33–129) e valores separados por vírgulas em Tensões de porta crescentes (V). Use 1–32 tensões crescentes a até 3 V da diferença de função trabalho.

  4. Selecione Aplicar entradas. Para editar a solicitação completa, expanda Entradas avançadas e edite Solicitação JSON (SI).

Executar e ler os resultados

  1. Selecione Executar simulação MOS-C. Durante o cálculo, selecione Cancelar simulação MOS-C para interrompê-lo.

  2. Leia Capacitância–tensão LF/HF em F/m², Potencial de superfície (V) e Carga do semicondutor (C/m²). O resumo mostra a tensão de banda plana, a tensão de limiar e a capacitância do óxido por unidade de área.

  3. Consulte Pontos calculados e convergência para ver cada tensão de porta, a capacitância LF/HF, a região, as iterações e o resíduo.

  4. Expanda Origem da execução e premissas para inspecionar os hashes da entrada, do resultado e do motor, a revisão da origem, a malha e as premissas do modelo.

Salvar e abrir um documento de projeto

  1. Mantenha selecionado o projeto usado neste cálculo, com acesso aos arquivos do projeto habilitado.

  2. Selecione Salvar MOS-C no projeto. Ao salvar pela primeira vez, insira um novo nome em Nome do arquivo do documento do projeto e selecione Salvar documento do projeto. No Windows, mantenha a terminação .alcad-device-mos.json no nome do arquivo; o Cloud adiciona essa terminação quando você insere apenas um nome.

  3. Selecione Salvar MOS-C no projeto novamente para atualizar o arquivo aberto ou salvo. Para criar outro arquivo, selecione Salvar MOS-C como arquivo do projeto, insira um novo nome de arquivo e selecione Salvar documento do projeto.

  4. Selecione Abrir MOS-C do projeto, escolha o arquivo em Documento do projeto e selecione Abrir documento do projeto. Se houver um rascunho não salvo, antes de abrir o arquivo, selecione Substituir o rascunho não salvo atual por este arquivo.

Execute seu primeiro modelo de processo no vFactory