MOS संधारित्र के C–V वक्र की गणना करें
आदर्श Si/SiO₂ संधारित्र के इनपुट लागू करें, प्रति इकाई क्षेत्रफल LF और HF धारिता की गणना करें और MOS-C प्रोजेक्ट दस्तावेज़ सहेजें।
शुरू करने से पहले
ये चरण Cloud 2.1.2.10 और Windows 2.1.2.3 पर लागू होते हैं।
MOS-C मॉडल स्थानीय रूप से आदर्श एक-आयामी Si/SiO₂ संधारित्र की गणना करता है, जिसमें आवेश और धारिता प्रति इकाई क्षेत्रफल होते हैं।
Cloud पर उपकरण की गणना चलाने और प्रोजेक्ट दस्तावेज़ सहेजने या खोलने से पहले प्रोजेक्ट रनटाइम रोकें।
संधारित्र के इनपुट सेट करें
विंडो के शीर्षलेख में उत्पाद मेनू खोलें और vFactory > वेफ़र प्रक्रिया और फैब्रिकेशन चुनें। प्रक्रिया मॉडल और फिर उपकरण (MOS-C) चुनें।
MOS-C इनपुट (SI) में, सब्सट्रेट का प्रकार के अंतर्गत p या n चुनें। सब्सट्रेट डोपिंग (m⁻³), ऑक्साइड मोटाई (m), कार्य फलन का अंतर (V) और तापमान (K) दर्ज करें।
मेश नोड (33–129) दर्ज करें और बढ़ते गेट वोल्टेज (V) में अल्पविराम से अलग किए गए मान दर्ज करें। कार्य फलन के अंतर से 3 V के भीतर के 1–32 बढ़ते वोल्टेज का उपयोग करें।
इनपुट लागू करें चुनें। पूरे अनुरोध को संपादित करने के लिए उन्नत इनपुट का विस्तार करें और अनुरोध JSON (SI) संपादित करें।
चलाएँ और परिणाम पढ़ें
MOS-C सिमुलेशन चलाएँ चुनें। गणना के दौरान इसे रोकने के लिए MOS-C सिमुलेशन रद्द करें चुनें।
LF/HF धारिता–वोल्टेज को F/m² में, सतह विभव (V) और अर्धचालक आवेश (C/m²) पढ़ें। सारांश में समतल-बैंड वोल्टेज, थ्रेशोल्ड वोल्टेज और प्रति इकाई क्षेत्रफल ऑक्साइड धारिता दिखाई जाती है।
प्रत्येक गेट वोल्टेज, LF/HF धारिता, क्षेत्र, पुनरावृत्तियों और अवशेष के लिए गणना किए गए बिंदु और अभिसरण पढ़ें।
इनपुट, परिणाम और इंजन के हैश, स्रोत संशोधन, मेश और मॉडल की मान्यताओं की जाँच के लिए निष्पादन का स्रोत विवरण और धारणाएँ का विस्तार करें।
प्रोजेक्ट दस्तावेज़ सहेजें और खोलें
इस गणना के लिए उपयोग किया गया प्रोजेक्ट चयनित रखें और प्रोजेक्ट फ़ाइल ऐक्सेस सक्षम रखें।
प्रोजेक्ट में MOS-C सहेजें चुनें। पहली बार सहेजने के लिए प्रोजेक्ट दस्तावेज़ फ़ाइल का नाम में नया नाम दर्ज करें, फिर प्रोजेक्ट डॉक्युमेंट सेव करें चुनें। Windows पर फ़ाइल नाम का .alcad-device-mos.json अंत बनाए रखें; Cloud में केवल नाम दर्ज करने पर यह अंत जोड़ दिया जाता है।
खोली या सहेजी गई फ़ाइल अपडेट करने के लिए फिर से प्रोजेक्ट में MOS-C सहेजें चुनें। दूसरी फ़ाइल बनाने के लिए MOS-C को प्रोजेक्ट फ़ाइल के रूप में सहेजें चुनें, नया फ़ाइल नाम दर्ज करें और प्रोजेक्ट डॉक्युमेंट सेव करें चुनें।
प्रोजेक्ट से MOS-C खोलें चुनें, प्रोजेक्ट दस्तावेज़ में फ़ाइल चुनें और प्रोजेक्ट डॉक्युमेंट खोलें चुनें। यदि ड्राफ़्ट सहेजा नहीं गया है, तो इसे खोलने से पहले इस फ़ाइल के साथ वर्तमान असंरक्षित ड्राफ़्ट बदलें। चुनें।