MOS 커패시터 C–V 곡선 계산하기

이상적인 Si/SiO₂ 커패시터 입력을 적용하고 단위 면적당 LF 및 HF 정전용량을 계산한 뒤 MOS-C 프로젝트 문서를 저장합니다.

시작하기 전에

이 절차는 Cloud 2.1.2.10 및 Windows 2.1.2.3에 적용됩니다.

MOS-C 모델은 이상적인 1차원 Si/SiO₂ 커패시터를 로컬에서 계산하며 전하와 정전용량은 단위 면적당 값으로 나타냅니다.

Cloud에서는 소자 계산을 실행하거나 프로젝트 문서를 저장하거나 열기 전에 프로젝트 런타임을 중지하세요.

창 헤더에서 제품 메뉴를 열고 vFactory > 웨이퍼 공정 및 팹 항목을 고르세요. 공정 모델 항목을 선택한 다음 소자 (MOS-C) 항목을 선택하세요.
MOS-C 입력 (SI)의 기판 유형 항목에서 p 또는 n을 고르세요. 기판 도핑 (m⁻³), 산화막 두께 (m), 일함수 차 (V), 온도 (K) 값을 입력하세요.
격자 노드 (33–129) 값을 입력하고 증가하는 게이트 전압 (V) 항목에 쉼표로 구분한 값을 입력하세요. 일함수 차에서 3 V 이내에 있는 증가하는 전압 1–32개를 사용하세요.
입력 적용 항목을 선택하세요. 전체 요청을 편집하려면 고급 입력 항목을 펼쳐 요청 JSON (SI) 내용을 편집하세요.

MOS-C 시뮬레이션 실행 항목을 선택하세요. 계산 중에 멈추려면 MOS-C 시뮬레이션 취소 항목을 선택하세요.
저주파 / 고주파 정전용량–전압 값을 F/m² 단위로 읽고 표면 전위 (V), 반도체 전하 (C/m²) 값을 읽으세요. 요약에는 평탄대 전압, 문턱 전압, 단위 면적당 산화막 정전용량이 표시됩니다.
계산값 및 수렴 항목에서 각 게이트 전압, LF/HF 정전용량, 영역, 반복 횟수, 잔차를 읽으세요.
실행 출처 및 가정 항목을 펼쳐 입력·결과·엔진 해시, 소스 리비전, 메시, 모델 가정을 확인하세요.

프로젝트 파일 접근을 활성화한 상태에서 이 계산에 사용한 프로젝트를 선택한 채로 두세요.
프로젝트에 MOS-C 저장 항목을 선택하세요. 처음 저장할 때는 프로젝트 문서 파일 이름 항목에 새 이름을 입력한 다음 프로젝트 문서 저장 항목을 선택하세요. Windows에서는 파일 이름의 .alcad-device-mos.json 끝부분을 유지하세요. Cloud에서는 확장자 없이 이름만 입력하면 이 끝부분을 추가합니다.
열었거나 저장한 파일을 갱신하려면 프로젝트에 MOS-C 저장 항목을 다시 선택하세요. 다른 파일을 만들려면 MOS-C를 새 프로젝트 파일로 저장 항목을 선택하고 새 파일 이름을 입력한 뒤 프로젝트 문서 저장 항목을 선택하세요.
프로젝트 MOS-C 열기 항목을 선택하고 프로젝트 문서 항목에서 파일을 고른 뒤 프로젝트 문서 열기 항목을 선택하세요. 저장되지 않은 초안이 있으면 파일을 열기 전에 현재 저장되지 않은 초안을 이 파일로 교체합니다. 항목을 선택하세요.