C–V-Kurve eines MOS-Kondensators berechnen
Wenden Sie Eingaben für einen idealen Si/SiO₂-Kondensator an, berechnen Sie die LF- und HF-Kapazität pro Flächeneinheit und speichern Sie ein MOS-C-Projektdokument.
Bevor Sie beginnen
Diese Schritte gelten für Cloud 2.1.2.10 und Windows 2.1.2.3.
Das MOS-C-Modell berechnet lokal einen idealen eindimensionalen Si/SiO₂-Kondensator mit Ladung und Kapazität pro Flächeneinheit.
Stoppen Sie in Cloud die Projektlaufzeit, bevor Sie die Bauelementberechnung ausführen und Projektdokumente speichern oder öffnen.
Kondensatoreingaben festlegen
Öffnen Sie in der Kopfzeile des Fensters das Produktmenü und wählen Sie vFactory > Wafer-Prozess & Fertigung. Wählen Sie Prozessmodelle und dann Bauelement (MOS-C).
Wählen Sie in MOS-C-Eingaben (SI) unter Substrattyp p oder n. Geben Sie Substratdotierung (m⁻³), Oxiddicke (m), Austrittsarbeitsdifferenz (V) und Temperatur (K) ein.
Geben Sie Netzknoten (33–129) und durch Kommas getrennte Werte in Ansteigende Gatespannungen (V) ein. Verwenden Sie 1–32 ansteigende Spannungen, die höchstens 3 V von der Austrittsarbeitsdifferenz abweichen.
Wählen Sie Eingaben anwenden. Um die vollständige Anfrage zu bearbeiten, klappen Sie Erweiterte Eingaben auf und bearbeiten Sie Anfrage als JSON (SI).
Berechnung ausführen und Ergebnisse lesen
Wählen Sie MOS-C-Simulation starten. Wählen Sie während der Berechnung MOS-C-Simulation abbrechen, um sie zu stoppen.
Lesen Sie LF-/HF-Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie in F/m², Oberflächenpotential (V) und Halbleiterladung (C/m²) ab. Die Zusammenfassung zeigt die Flachbandspannung, die Schwellenspannung und die Oxidkapazität pro Flächeneinheit.
Lesen Sie in Berechnete Punkte und Konvergenz die jeweilige Gatespannung, LF/HF-Kapazität, den Bereich, die Iterationen und das Residuum ab.
Klappen Sie Ausführungsherkunft und Annahmen auf, um die Hashes von Eingabe, Ergebnis und Engine, die Quellrevision, das Netz und die Modellannahmen zu prüfen.
Projektdokument speichern und öffnen
Lassen Sie das für diese Berechnung verwendete Projekt ausgewählt und den Zugriff auf Projektdateien aktiviert.
Wählen Sie MOS-C im Projekt speichern. Geben Sie beim ersten Speichern einen neuen Namen in Projektdokument-Dateiname ein und wählen Sie dann Projektdatei speichern. Behalten Sie unter Windows die Dateinamenendung .alcad-device-mos.json bei; Cloud fügt diese Endung hinzu, wenn Sie einen Namen ohne Endung eingeben.
Wählen Sie erneut MOS-C im Projekt speichern, um die geöffnete oder gespeicherte Datei zu aktualisieren. Um eine weitere Datei zu erstellen, wählen Sie MOS-C als Projektdatei speichern, geben Sie einen neuen Dateinamen ein und wählen Sie Projektdatei speichern.
Wählen Sie MOS-C aus Projekt öffnen, wählen Sie die Datei in Projektdokument aus und wählen Sie Projektdatei öffnen. Falls ein Entwurf nicht gespeichert ist, wählen Sie vor dem Öffnen Den aktuellen ungespeicherten Entwurf durch diese Datei ersetzen.