Importer des entrées de procédé préparées pour un condensateur MOS
Vérifiez les détails de source et de conversion des entrées MOS préparées, puis adoptez-les pour un calcul de condensateur ou conservez les entrées directes.
Avant de commencer
Ces étapes s’appliquent à Cloud 2.1.2.10 et Windows 2.1.2.3.
Préparez un fichier JSON contenant une sortie MOS de procédé préparée et réussie. Les entrées importées décrivent un substrat uniforme de condensateur MOS et une épaisseur idéale d’oxyde SiO₂.
Dans Cloud, arrêtez l’environnement d’exécution du projet avant d’exécuter le calcul du composant et d’enregistrer ou d’ouvrir des documents de projet.
Importer et vérifier les entrées préparées
Dans l’en-tête de la fenêtre, ouvrez le menu des produits et choisissez vFactory > Fabrication et procédés de tranches. Sélectionnez Modèles de procédé, puis Composant (MOS-C).
Sélectionnez Importer l’entrée MOS du procédé préparée et choisissez le fichier JSON préparé.
Vérifiez source, sourceModel, sourceInputSha256 et sourceResultSha256 dans l’aperçu. Vérifiez dans conversion la fenêtre source, les unités, la polarité, le dopage et l’épaisseur d’oxyde ; vérifiez les paramètres MOS-C dans preparedInput.
Sélectionnez Confirmer l’entrée MOS préparée pour adopter les entrées de l’aperçu. Pour conserver les entrées directes actuelles, sélectionnez Utiliser les entrées MOS directes.
Calculer et examiner les entrées adoptées
Développez Provenance du procédé pour examiner l’enregistrement source adopté, ownerSha256 et sourceRevision.
Sélectionnez Lancer la simulation MOS-C. Consultez les graphiques de capacité LF/HF, de potentiel de surface et de charge du semi-conducteur, ainsi que le tableau de convergence.
Pour revenir aux entrées directes, sélectionnez Utiliser les entrées MOS directes, modifiez Entrées MOS-C (SI) et sélectionnez Appliquer les entrées.