Importare dati di processo preparati per un condensatore MOS
Esamina i dettagli di origine e conversione dei dati MOS preparati, quindi adottali per il calcolo di un condensatore oppure mantieni i dati diretti.
Prima di iniziare
Questi passaggi si applicano a Cloud 2.1.2.10 e Windows 2.1.2.3.
Prepara un file JSON contenente un output MOS di processo preparato con esito positivo. I dati importati descrivono un substrato uniforme per un condensatore MOS e uno spessore ideale dell'ossido SiO₂.
Su Cloud, arresta il runtime del progetto prima di eseguire il calcolo del dispositivo e di salvare o aprire documenti di progetto.
Importare ed esaminare i dati preparati
Nell'intestazione della finestra, apri il menu dei prodotti e scegli vFactory > Processo & Fabbrica dei wafer. Seleziona Modelli di processo, quindi Dispositivo (MOS-C).
Seleziona Importa input MOS di processo preparato e scegli il file JSON preparato.
Esamina source, sourceModel, sourceInputSha256 e sourceResultSha256 nell'anteprima. Controlla in conversion la finestra di origine, le unità, la polarità, il drogaggio e lo spessore dell'ossido; controlla in preparedInput i parametri MOS-C.
Seleziona Conferma input MOS preparato per adottare i dati mostrati nell'anteprima. Per mantenere invece i dati diretti attuali, seleziona Usa input MOS diretti.
Calcolare ed esaminare i dati adottati
Espandi Provenienza del processo per esaminare il record di origine adottato, ownerSha256 e sourceRevision.
Seleziona Esegui simulazione MOS-C. Leggi i grafici di capacità LF/HF, potenziale superficiale e carica del semiconduttore e la tabella di convergenza.
Per tornare ai dati diretti, seleziona Usa input MOS diretti, modifica Input MOS-C (SI) e seleziona Applica input.