匯入 MOS 電容器的已準備製程輸入

檢閱已準備 MOS 輸入的來源與轉換詳細資料，再採用於電容器計算，或保留直接輸入。

開始之前

這些步驟適用於 Cloud 2.1.2.10 與 Windows 2.1.2.3。

請備妥包含成功產生的已準備製程 MOS 輸出的 JSON 檔案。匯入的輸入描述均勻的 MOS 電容器基板及理想 SiO₂ 氧化層厚度。

在 Cloud 上，執行元件計算以及儲存或開啟專案文件之前，請先停止專案執行階段。

匯入並檢閱已準備的輸入

1. 在視窗標頭開啟產品選單，選擇「vFactory」>「晶圓製程與晶圓廠」。選取「製程模型」，再選取「元件 (MOS-C)」。

2. 選取「匯入已準備的製程 MOS 輸入」，並選擇已準備的 JSON 檔案。

3. 在預覽中檢閱 source、sourceModel、sourceInputSha256 與 sourceResultSha256。檢查 conversion 中的來源視窗、單位、極性、摻雜與氧化層厚度；檢查 preparedInput 中的 MOS-C 參數。

4. 選取「確認已準備的 MOS 輸入」以採用預覽中的輸入。若要保留目前的直接輸入，請選取「使用直接 MOS 輸入」。

計算並檢視已採用的輸入

1. 展開「製程來源紀錄」，檢視已採用的來源記錄、ownerSha256 與 sourceRevision。

2. 選取「執行 MOS-C 模擬」。檢視 LF/HF 電容、表面電位與半導體電荷圖表，以及收斂表格。

3. 若要返回直接輸入，請選取「使用直接 MOS 輸入」，編輯「MOS-C 輸入 (SI)」，再選取「套用輸入」。

在 vFactory 中執行第一個製程模型