Vorbereitete Prozesseingaben für einen MOS-Kondensator importieren
Prüfen Sie die Quell- und Konvertierungsdetails vorbereiteter MOS-Eingaben und übernehmen Sie diese dann für eine Kondensatorberechnung oder behalten Sie die direkten Eingaben bei.
Bevor Sie beginnen
Diese Schritte gelten für Cloud 2.1.2.10 und Windows 2.1.2.3.
Halten Sie eine JSON-Datei bereit, die eine erfolgreiche vorbereitete MOS-Prozessausgabe enthält. Die importierten Eingaben beschreiben ein homogenes MOS-Kondensatorsubstrat und eine ideale SiO₂-Oxiddicke.
Stoppen Sie in Cloud die Projektlaufzeit, bevor Sie die Bauelementberechnung ausführen und Projektdokumente speichern oder öffnen.
Vorbereitete Eingaben importieren und prüfen
Öffnen Sie in der Kopfzeile des Fensters das Produktmenü und wählen Sie vFactory > Wafer-Prozess & Fertigung. Wählen Sie Prozessmodelle und dann Bauelement (MOS-C).
Wählen Sie Vorbereitete Prozess-MOS-Eingabe importieren und wählen Sie die vorbereitete JSON-Datei aus.
Prüfen Sie source, sourceModel, sourceInputSha256 und sourceResultSha256 in der Vorschau. Prüfen Sie unter conversion das Quellfenster, die Einheiten, die Polarität, die Dotierung und die Oxiddicke; prüfen Sie unter preparedInput die MOS-C-Parameter.
Wählen Sie Vorbereitete MOS-Eingabe bestätigen, um die Eingaben aus der Vorschau zu übernehmen. Um stattdessen die aktuellen direkten Eingaben beizubehalten, wählen Sie Direkte MOS-Eingaben verwenden.
Übernommene Eingaben berechnen und prüfen
Klappen Sie Prozessherkunft auf, um den übernommenen Quelldatensatz, ownerSha256 und sourceRevision zu prüfen.
Wählen Sie MOS-C-Simulation starten. Lesen Sie die Diagramme für LF/HF-Kapazität, Oberflächenpotential und Halbleiterladung sowie die Konvergenztabelle ab.
Um zu direkten Eingaben zurückzukehren, wählen Sie Direkte MOS-Eingaben verwenden, bearbeiten Sie MOS-C-Eingaben (SI) und wählen Sie Eingaben anwenden.