导入 MOS 电容器的已准备工艺输入

检查已准备 MOS 输入的来源和转换详情，再将其用于电容器计算，或保留直接输入。

开始之前

这些步骤适用于 Cloud 2.1.2.10 和 Windows 2.1.2.3。

请准备好包含成功生成的已准备工艺 MOS 输出的 JSON 文件。导入的输入描述均匀的 MOS 电容器衬底及理想 SiO₂ 氧化层厚度。

在 Cloud 上，运行器件计算以及保存或打开项目文档之前，请先停止项目运行时。

在窗口标题栏打开产品菜单，选择“vFactory”>“晶圆工艺与制造”。选择“工艺模型”，然后选择“器件 (MOS-C)”。
选择“导入已准备的工艺 MOS 输入”，然后选择已准备的 JSON 文件。
在预览中检查 source、sourceModel、sourceInputSha256 和 sourceResultSha256。检查 conversion 中的源窗口、单位、极性、掺杂和氧化层厚度；检查 preparedInput 中的 MOS-C 参数。
选择“确认已准备的 MOS 输入”以采用预览中的输入。如需保留当前的直接输入，请选择“使用直接 MOS 输入”。