Importar entrada de processo preparada para um capacitor MOS
Revise os detalhes de origem e conversão da entrada MOS preparada e adote-a para um cálculo de capacitor ou mantenha as entradas diretas.
Antes de começar
Estas etapas se aplicam ao Cloud 2.1.2.10 e ao Windows 2.1.2.3.
Tenha em mãos um arquivo JSON com uma saída MOS de processo preparada com sucesso. A entrada importada descreve um substrato uniforme de capacitor MOS e uma espessura ideal de óxido de SiO₂.
No Cloud, pare o runtime do projeto antes de executar o cálculo do dispositivo e de salvar ou abrir documentos do projeto.
Importar e revisar a entrada preparada
No cabeçalho da janela, abra o menu de produtos e escolha vFactory > Processo & Fabricação de Wafer. Selecione Modelos de processo e, em seguida, Dispositivo (MOS-C).
Selecione Importar entrada MOS de processo preparada e escolha o arquivo JSON preparado.
Revise source, sourceModel, sourceInputSha256 e sourceResultSha256 na prévia. Confira em conversion a janela de origem, as unidades, a polaridade, a dopagem e a espessura do óxido; confira em preparedInput os parâmetros MOS-C.
Selecione Confirmar entrada MOS preparada para adotar a entrada exibida na prévia. Para manter a entrada direta atual, selecione Usar entradas MOS diretas.
Calcular e inspecionar a entrada adotada
Expanda Proveniência do processo para inspecionar o registro de origem adotado, ownerSha256 e sourceRevision.
Selecione Executar simulação MOS-C. Leia os gráficos de capacitância LF/HF, potencial de superfície e carga do semicondutor e a tabela de convergência.
Para retornar à entrada direta, selecione Usar entradas MOS diretas, edite Entradas MOS-C (SI) e selecione Aplicar entradas.