Импорт подготовленных входных данных процесса для MOS-конденсатора
Проверьте сведения об источнике и преобразовании подготовленных данных MOS, затем примените их для расчёта конденсатора или оставьте прямые входные данные.
Перед началом работы
Эти действия применимы к Cloud 2.1.2.10 и Windows 2.1.2.3.
Подготовьте файл JSON с успешно подготовленными выходными данными MOS процесса. Импортируемые входные данные описывают однородную подложку MOS-конденсатора и идеальную толщину оксида SiO₂.
В Cloud остановите среду выполнения проекта перед запуском расчёта прибора и сохранением или открытием документов проекта.
Импорт и проверка подготовленных данных
В заголовке окна откройте меню продуктов и выберите vFactory > Процесс пластины и фабрика. Выберите Модели процессов, затем Прибор (MOS-C).
Выберите Импорт подготовленных данных MOS процесса и укажите подготовленный файл JSON.
Проверьте source, sourceModel, sourceInputSha256 и sourceResultSha256 в предварительном просмотре. В conversion проверьте окно источника, единицы измерения, полярность, легирование и толщину оксида; в preparedInput проверьте параметры MOS-C.
Выберите Подтвердить подготовленные данные MOS, чтобы применить данные из предварительного просмотра. Чтобы вместо этого оставить текущие прямые входные данные, выберите Использовать прямые данные MOS.
Расчёт и проверка принятых данных
Разверните Происхождение процесса, чтобы проверить принятую запись источника, ownerSha256 и sourceRevision.
Выберите Запустить расчёт MOS-C. Просмотрите графики ёмкости LF/HF, поверхностного потенциала и заряда полупроводника, а также таблицу сходимости.
Чтобы вернуться к прямым входным данным, выберите Использовать прямые данные MOS, измените Входные данные MOS-C (СИ) и выберите Применить данные.