वेफ़र प्रक्रिया रेसिपी बनाएँ

वेफ़र मॉडल में इस्तेमाल होने वाली सामग्री, शुरुआती परतें और प्रक्रिया के चरण सेट करें।

वेफ़र रेसिपी खोलें

उत्पाद मेनू में vFactory → वेफ़र प्रक्रिया और फ़ैब चुनें, फिर प्रक्रिया मॉडल चुनें। मॉडल में वेफ़र प्रक्रिया चुनें। ये चरण Cloud और Windows 2.1.2.3 पर लागू होते हैं। शुरुआती उदाहरण में संपादन के लिए सामग्री, परतें और प्रक्रिया क्रम मिलता है।

उत्पाद मेनू और पहली बार चलाने के बारे में जानने के लिए नीचे लिंक की गई पहली प्रक्रिया की मार्गदर्शिका देखें।

सामग्री और शुरुआती परतें सेट करें

रेसिपी का नाम दर्ज करें। सामग्री गुणांक के अंतर्गत हर सामग्री का ID और उसके D₀ (nm²/s) तथा Eₐ (eV) मान सेट करें। दूसरी सामग्री जोड़ने के लिए सामग्री जोड़ें चुनें।
सतह से शुरुआती परतें के अंतर्गत हर परत की सामग्री चुनें और उसकी मोटाई nm में, सेल की संख्या और सांद्रता cm⁻³ में दर्ज करें। पहली परत सतह की परत है।
मौजूदा परतों के नीचे एक परत जोड़ने के लिए नीचे की परत जोड़ें चुनें।

“प्रक्रिया मॉडल”, जिसमें “मॉडल” “वेफ़र प्रक्रिया” पर सेट है और उदाहरण रेसिपी Planar layer example है। “सामग्री गुणांक” में सामग्री 1 substrate (D₀ 10 nm²/s, Eₐ 0 eV) और सामग्री 2 film (D₀ 2 nm²/s, Eₐ 0 eV) सूचीबद्ध हैं, हर एक के साथ एक नोट है कि परतें या प्रक्रिया चरण उसका उपयोग करते हैं, और एक “सामग्री जोड़ें” बटन है। “सतह से शुरुआती परतें” में एक परत है, जिसकी सामग्री substrate, मोटाई 100 nm, 80 सेल और सांद्रता 1000000000000000 cm⁻³ है, और एक “नीचे की परत जोड़ें” बटन है।

शुरुआती उदाहरण में दो सामग्रियाँ और एक सतह की परत है। सामग्री के ID और गुणांक तथा परत के मान यहाँ बदलें, या “सामग्री जोड़ें” और “नीचे की परत जोड़ें” का उपयोग करें।

सामग्री का ID बदलने पर रेसिपी में उसके संदर्भ अपडेट होते हैं। किसी परत या प्रक्रिया चरण में इस्तेमाल हो रही सामग्री तब तक उपलब्ध रहती है, जब तक वे संदर्भ बदले नहीं जाते।

प्रक्रिया के चरण जोड़ें

प्रक्रिया क्रम के अंतर्गत निक्षेपण जोड़ें, नक़्क़ाशी जोड़ें, विसरण जोड़ें या तापमान परिवर्तन जोड़ें चुनें। नए चरण क्रम के अंत में दिखाई देते हैं।
हर चरण को चरण का नाम और अवधि (s) दें। निक्षेपण के लिए सामग्री, वृद्धि दर, नए सेल और जमा होने वाली सामग्री की सांद्रता चुनें। एचिंग के लिए हर सामग्री की दर सेट करें।
विसरण के लिए तापमान और अधिकतम समय चरण सेट करें। थर्मल रैंप के लिए शुरुआती और अंतिम तापमान तथा अधिकतम समय चरण सेट करें।
दोनों प्रकार के विसरण चरण के लिए ऊपरी और निचली सीमा शर्तें चुनें। प्रवाह नहीं या निश्चित सांद्रता चुनें; दूसरे विकल्प में सांद्रता का फ़ील्ड भी दिखता है।
रेसिपी की गणना करने के लिए सिमुलेशन चलाएँ चुनें। मौजूदा इनपुट JSON के रूप में रखने के लिए इनपुट सहेजें का इस्तेमाल करें।

तीन चरणों वाली उदाहरण रेसिपी का “प्रक्रिया क्रम”। 1. निक्षेपण, Deposit doped film: “अवधि (s)” 10, “निक्षेपण सामग्री” film, वृद्धि दर 2 nm/s और 16 नए सेल। 2. विसरण, Anneal layers: “अवधि (s)” 30, 1000 K, अधिकतम समय चरण 0.1 s, और “ऊपरी सीमा शर्त” तथा “निचली सीमा शर्त” “प्रवाह नहीं” पर सेट हैं। 3. एचिंग, Selective film etch: “अवधि (s)” 8, substrate की एचिंग दर 0.1 nm/s और film की एचिंग दर 1 nm/s। “निक्षेपण जोड़ें”, “नक़्क़ाशी जोड़ें”, “विसरण जोड़ें”, “तापमान परिवर्तन जोड़ें”, “आयन इम्प्लांटेशन जोड़ें” और “CMP जोड़ें” बटन भी दिखाए गए हैं।

हर चरण के अपने “चरण का नाम”, “अवधि (s)” और चरण के इनपुट होते हैं। विसरण चरण में “ऊपरी सीमा शर्त” और “निचली सीमा शर्त” भी सेट होती हैं।

vFactory में अपना पहला प्रक्रिया मॉडल चलाएँ

उदाहरण के इनपुट कृत्रिम मान्यताएँ हैं। परिणाम दिए गए मॉडल का सिमुलेशन हैं, मापे गए उत्पादन डेटा नहीं।