Utiliser vFactory : explorer une fab et suivre une conception jusqu’au wafer

Ouvrir vFactory

1. vFactory est l’espace consacré aux procédés sur wafer et aux fabs dans Digital Design Studio, aux côtés de DDS et ALcad.

2. Dans le menu des produits, choisissez vFactory → Wafer Process & Fab ; la scène de la fab est activée par défaut.

3. L’interface est disponible dans Cloud et les applications Windows et Linux ; les actions sur les fichiers de projet dépendent de l’hôte sélectionné.

4. Commencez dans Reference fab ou sélectionnez Process models, Design to wafer, EUV calculation ou EUV clip selon la tâche.

5. L’exemple de référence d’origine comprend 300 équipements sur quatre niveaux, avec une disposition réglable de 200–400 équipements et des hypothèses explicites pour ses valeurs numériques.

Ouvrez vFactory depuis le menu des produits.

Se déplacer et choisir une vue

1. Utilisez 2D map, 3D map, Top view, Walk ou Dollhouse pour examiner la fab.

2. Dans Walk, donnez le focus à la vue et utilisez W/S pour avancer ou reculer, A/D pour vous déplacer latéralement et Shift pour courir.

3. Faites glisser la souris dans la vue 3D pour regarder autour de vous.

4. Approchez d’une porte et appuyez sur E ; les portes fermées, les murs et les équipements bloquent le passage.

5. Sous Stairs / elevator, choisissez Destination level et Connection, utilisez Walk to connection, puis Change level à votre arrivée.

6. Marchez jusqu’à la zone EUV et approchez d’un scanner jusqu’à l’apparition de Look inside · EUV scanner {number}.

Parcourez la fab de référence à pied et approchez du laboratoire EUV.

Lancer une simulation et rejouer les lots

1. Dans Process models, choisissez Seeded fab simulation (v2), examinez les entrées du modèle et utilisez Run simulation lorsque cette action est disponible.

2. Le même modèle et la même graine reproduisent la même exécution ; les durées, pannes, maintenances et regroupements en lots proviennent du modèle fourni.

3. Pour une exécution terminée avec des événements enregistrés, utilisez Play simulation, Pause simulation, Restart playback et Playback speed, de 1× à 100,000×.

4. Sélectionnez un lot ou recherchez son ID exact pour examiner son état enregistré à l’instant de simulation choisi ; sélectionnez séparément un équipement pour examiner son état.

5. Le mode de simulation par défaut de la version publiée rejoue les lots et états d’équipements enregistrés ; il ne génère pas d’événements de véhicules AMHS et ne rejoue pas de véhicules OHT. Une disposition de rails seule ne crée aucune simulation de véhicules.

Examinez un lot sélectionné pendant la relecture des événements de fab enregistrés.

Examiner le scanner EUV et le calcul

1. Choisissez Look inside · EUV scanner {number} dans Walk pour ouvrir le laboratoire de structure, puis utilisez Close inside view ou Escape pour revenir.

2. Gardez à l’esprit Reconstruction · assumptions : la structure utilise des informations publiques et des dimensions supposées, et non une CAO de fabrication.

3. Dans EUV calculation, examinez un préréglage modifiable et choisissez Calculate EUV pour examiner le bilan de puissance et de photons de la source au wafer.

4. Interprétez la vitesse de balayage, le nombre de wafers par heure et les résultats optiques comme des calculs non étalonnés avec des hypothèses indiquées, plutôt que comme un débit d’équipement mesuré.

5. Le balayage de 12.5–14.5 nm maintient les indices optiques de 13.5 nm fixes ; il ne s’agit ni d’un spectre mesuré ni d’un modèle de dispersion.

Examinez le scanner EUV reconstruit avec son indication d’hypothèses.

Consultez un bilan lumineux EUV fondé sur des hypothèses.

Envoyer une conception et lire le wafer virtuel

1. Dans la visionneuse GDS DDS d’un projet Cloud disposant de cette capacité, choisissez "Envoyer à vFactory" pour la structure projetée afin d’ouvrir "De la conception à la tranche" avec cette conception ; rien n’est exécuté tant que vous ne choisissez pas "Exécuter de la conception à la tranche".

2. Le transfert commence par un lot de 25 wafers ; choisissez "Parcours de l’usine de référence", examinez le nombre de lots, le nombre de wafers et l’intervalle de lancement comme des hypothèses modifiables, puis utilisez "Calculer l’aperçu" pour vérifier la carte du wafer et les estimations de rendement avant l’exécution.

3. La carte du wafer de 300 mm utilise les limites GDS pour la taille des puces et inclut l’espacement de découpe et l’exclusion du bord.

4. Comparez les estimations de rendement de Poisson, Murphy et de la loi binomiale négative avec l’hypothèse de densité de défauts affichée ; ce sont des estimations, et non des nombres mesurés de puces bonnes.

5. Lisez Lot completion and delivery en secondes depuis le début de la simulation ; les lots inachevés n’ont pas d’estimation de fin ou de livraison, et la livraison globale exige que tous les lots demandés soient terminés.

Tant qu’aucune conception n’est arrivée, De la conception à la tranche indique qu’il n’y a pas de source de conception, avec ses hypothèses modifiables. Calculer l’aperçu et Exécuter de la conception à la tranche restent indisponibles.

Consultez la carte du wafer, les hypothèses de rendement et la livraison simulée des lots.

6. Utilisez Follow lot in 3D pour un lot nouvellement simulé ; sa fin ou la sélection d’un autre lot arrête le suivi, et les fichiers de synthèse rouverts ne contiennent pas d’événements de relecture.

7. Un nouveau transfert DDS relie la classe ISO et le flux d’air descendant aux curseurs d’environnement de la fab ; les entrées importées ou rouvertes conservent leurs propres hypothèses jusqu’à leur liaison explicite.

Vérifiez les entrées de Design to wafer et maintenez la classe ISO et le flux d’air descendant liés aux curseurs d’environnement de la fab.

8. Modifier ces curseurs liés recalcule la concentration, le D0 environnemental, le rendement et le nombre attendu de puces bonnes sans relancer la fab ; enregistrez explicitement le résultat révisé lorsque l’enregistrement du projet est pris en charge.

9. La classe ISO est un indicateur de concentration de particules, et non une distribution mesurée ou une certification ; le flux descendant fait partie d’une hypothèse de dépôt non étalonnée.

10. La température, l’humidité, la pression et les vibrations n’ont aucun effet modélisé sur les particules, les défauts, le rendement ou la thermique.

Importer vos propres fichiers

1. Pour un aperçu de la disposition, utilisez Fab setup → Import fab layout avec un fichier JSON fab-model/v1 ou fab-model/v2 complet.

2. Pour convertir des données sources, choisissez Import fab data dans le modèle v2 à graine et examinez Import diagnostics avant l’exécution ; les éléments sources incomplets ou de sémantique non prise en charge doivent d’abord être résolus.

3. L’importateur de fichiers sources accepte les fichiers pris en charge .asd, .xlsx, .cf, .os, .pr, .rw, .ts, .vr, .rte, .txt et .csv, ainsi que options.def, avec un maximum de 64 fichiers, 32 MiB par fichier et 64 MiB au total.

4. Design to wafer accepte séparément un package JSON source DDS/tapeout et des durées facultatives d’assemblage et de test ; ses imports JSON sont limités à 1 MiB.

5. Procurez-vous vous-même les jeux de données externes destinés à l’importation uniquement ; le produit ne les inclut pas et son exemple de fab fourni est synthétique.

6. Les visites externes, enregistrements et pages de fournisseurs servent uniquement de références à consulter ; leurs captures d’écran, vidéos, fichiers CAO et logos ne sont pas des ressources de fab incluses.

Limites à garder à l’esprit

1. Sur le bureau Linux, le mode de repli WebGL2 utilise le niveau Low ; lorsque ni WebGPU ni WebGL2 ne sont utilisables, la fab affiche le plan 2D à l’échelle réelle.

2. EUV clip calcule localement une image aérienne de masque mince ; l’imagerie Cloud n’est pas disponible dans la version publiée, utilisez donc le découpage local dans les limites de l’appareil.

3. La visionneuse de structure EUV explique une structure optique reconstruite ; ses rayons illustratifs ne constituent pas une simulation électromagnétique, d’imagerie, thermique ou vibratoire.

4. Les durées de cycle et de livraison de la fab, les estimations de rendement et le bilan EUV sont des résultats de modèle avec des hypothèses, et non une validation de fabrication ou des promesses réelles de livraison.

5. Les notes de version signalent une augmentation de la mémoire GPU partagée sur Intel Iris Xe après des ouvertures répétées de la vue intérieure EUV ou des changements de qualité Medium/Low.