Creare una ricetta di processo per wafer

Impostare i materiali, gli strati iniziali e le fasi di processo utilizzati da un modello di wafer.

Aprire la ricetta del wafer

Dal menu dei prodotti, selezionare vFactory → Processo wafer e fabbricazione, quindi Modelli di processo. In Modello, scegliere Processo del wafer. Questi passaggi si applicano a Cloud e Windows 2.1.2.3. L’esempio iniziale fornisce materiali, strati e una sequenza di processo da modificare.

Per il menu dei prodotti e la prima esecuzione, consultare la guida al primo processo collegata di seguito.

Impostare materiali e strati iniziali

  1. Inserire Nome della ricetta. In Coefficienti dei materiali, impostare l’ID di ciascun materiale e i relativi valori D₀ (nm²/s) ed Eₐ (eV). Selezionare Aggiungi materiale per aggiungere un altro materiale.

  2. In Strati iniziali dalla superficie, scegliere il materiale di ogni strato e inserirne lo spessore in nm, il numero di celle e la concentrazione in cm⁻³. Il primo strato è quello superficiale.

  3. Selezionare Aggiungi strato inferiore per aggiungere uno strato sotto quelli esistenti.

Modelli di processo con Modello impostato su Processo del wafer e la ricetta di esempio Planar layer example. In Coefficienti dei materiali sono elencati Materiale 1 substrate (D₀ 10 nm²/s, Eₐ 0 eV) e Materiale 2 film (D₀ 2 nm²/s, Eₐ 0 eV), ciascuno con una nota che indica che strati o fasi di processo lo utilizzano, e un pulsante Aggiungi materiale. In Strati iniziali dalla superficie c’è uno strato con materiale substrate, spessore 100 nm, 80 celle e concentrazione 1000000000000000 cm⁻³, e un pulsante Aggiungi strato inferiore.

L’esempio iniziale ha due materiali e uno strato superficiale. Modificare qui gli ID dei materiali, i coefficienti e i valori dello strato, oppure utilizzare Aggiungi materiale e Aggiungi strato inferiore.

La modifica dell’ID di un materiale aggiorna i relativi riferimenti nella ricetta. Un materiale utilizzato da uno strato o da una fase di processo viene mantenuto finché tali riferimenti non vengono modificati.

Aggiungere fasi di processo

  1. In Sequenza del processo, selezionare Aggiungi deposizione, Aggiungi incisione, Aggiungi diffusione o Aggiungi rampa termica. Le nuove fasi vengono aggiunte alla fine della sequenza.

  2. Assegnare Nome del passaggio e Durata (s) a ogni fase. Per la deposizione, scegliere il materiale, la velocità di crescita, le nuove celle e la concentrazione depositata. Per l’incisione, impostare una velocità per ciascun materiale.

  3. Per la diffusione, impostare la temperatura e il passo temporale massimo. Per una rampa termica, impostare le temperature iniziale e finale e il passo temporale massimo.

  4. Per entrambe le fasi di diffusione, scegliere le condizioni al contorno superiore e inferiore. Scegliere Flusso nullo o Concentrazione fissa; la seconda opzione mostra anche un campo per la concentrazione.

  5. Selezionare Esegui simulazione per calcolare la ricetta. Utilizzare Salva dati per conservare gli input correnti in formato JSON.

Sequenza del processo della ricetta di esempio con tre fasi. 1. deposizione, Deposit doped film: Durata (s) 10, Materiale depositato film, velocità di crescita 2 nm/s e 16 nuove celle. 2. diffusione, Anneal layers: Durata (s) 30, 1000 K, passo temporale massimo 0.1 s, e Flusso nullo come Condizione al contorno superiore e Condizione al contorno inferiore. 3. incisione, Selective film etch: Durata (s) 8, velocità di incisione di substrate 0.1 nm/s e velocità di incisione di film 1 nm/s. Sono mostrati anche i pulsanti Aggiungi deposizione, Aggiungi incisione, Aggiungi diffusione, Aggiungi rampa termica, Aggiungi impianto ionico e Aggiungi CMP.

Ogni fase ha il proprio Nome del passaggio, la propria Durata (s) e i propri input di fase. La fase di diffusione imposta anche Condizione al contorno superiore e Condizione al contorno inferiore.

Eseguire il primo modello di processo in vFactory

Gli input di esempio sono ipotesi sintetiche. I risultati simulano il modello fornito e non sono dati di produzione misurati.