웨이퍼 공정 레시피 구성하기

웨이퍼 모델에서 사용할 재료, 초기 층과 공정 단계를 설정하세요.

웨이퍼 레시피 열기

제품 메뉴에서 vFactory → 웨이퍼 공정 및 팹 항목을 선택한 다음 공정 모델 항목을 선택하세요. 모델 항목에서 웨이퍼 공정 항목을 선택하세요. 이 절차는 Cloud와 Windows 2.1.2.3에 적용됩니다. 시작 예제에는 편집할 재료, 층과 공정 순서가 들어 있습니다.

제품 메뉴와 첫 실행 방법은 아래에 연결된 첫 공정 실행 안내를 참고하세요.

재료와 초기 층 설정하기

  1. 레시피 이름 항목을 입력하세요. 재료 계수 아래에서 각 재료의 ID와 D₀ (nm²/s), Eₐ (eV) 값을 설정하세요. 재료를 더하려면 재료 추가 버튼을 선택하세요.

  2. 초기 층을 표면부터 지정 아래에서 각 층의 재료를 선택하고 두께(nm), 셀 수와 농도(cm⁻³)를 입력하세요. 첫 번째 층이 표면 층입니다.

  3. 기존 층 아래에 층을 추가하려면 맨 아래 층 추가 버튼을 선택하세요.

‘모델’이 ‘웨이퍼 공정’으로 설정되어 있고 Planar layer example 예제 레시피가 표시된 ‘공정 모델’ 화면입니다. ‘재료 계수’에는 재료 1 substrate (D₀ 10 nm²/s, Eₐ 0 eV)와 재료 2 film (D₀ 2 nm²/s, Eₐ 0 eV)가 나열되어 있고, 각 재료에는 층이나 공정 단계에서 사용한다는 안내 문구가 있으며, ‘재료 추가’ 버튼이 있습니다. ‘초기 층을 표면부터 지정’에는 재료 substrate, 두께 100 nm, 셀 수 80, 농도 1000000000000000 cm⁻³인 층이 하나 있고, ‘맨 아래 층 추가’ 버튼이 있습니다.

시작 예제에는 재료 두 개와 표면 층 하나가 있습니다. 재료 ID와 계수, 층의 값을 여기에서 변경하거나 ‘재료 추가’와 ‘맨 아래 층 추가’를 사용하세요.

재료 ID를 바꾸면 레시피에서 해당 ID를 참조하는 항목도 갱신됩니다. 층이나 공정 단계에서 사용하는 재료는 해당 참조를 바꿀 때까지 유지됩니다.

공정 단계 추가하기

  1. 공정 순서 아래에서 증착 추가, 식각 추가, 확산 추가 또는 온도 변화 구간 추가 버튼을 선택하세요. 새 단계는 순서의 끝에 추가됩니다.

  2. 각 단계의 단계 이름 항목과 해석 시간 (s) 항목을 입력하세요. 증착에서는 재료, 성장 속도, 새 셀 수와 증착 농도를 설정하세요. 식각에서는 재료별 속도를 설정하세요.

  3. 확산에서는 온도와 최대 시간 간격을 설정하세요. 열 램프에서는 시작 온도, 종료 온도와 최대 시간 간격을 설정하세요.

  4. 두 확산 단계 모두 위쪽과 아래쪽 경계 조건을 선택하세요. 유출 없음 또는 고정 농도 항목을 선택하세요. 후자를 선택하면 농도 필드도 표시됩니다.

  5. 레시피를 계산하려면 시뮬레이션 실행 버튼을 선택하세요. 현재 입력을 JSON으로 보관하려면 입력 저장 버튼을 사용하세요.

예제 레시피의 ‘공정 순서’에는 단계가 세 개 있습니다. 1. 증착, Deposit doped film: ‘해석 시간 (s)’ 10, ‘증착 재료’ film, 성장 속도 2 nm/s, 추가 셀 수 16. 2. 확산, Anneal layers: ‘해석 시간 (s)’ 30, 1000 K, 최대 시간 간격 0.1 s, ‘윗면 경계 조건’과 ‘아랫면 경계 조건’ 모두 ‘유출 없음’. 3. 식각, Selective film etch: ‘해석 시간 (s)’ 8, substrate 식각 속도 0.1 nm/s, film 식각 속도 1 nm/s. ‘증착 추가’, ‘식각 추가’, ‘확산 추가’, ‘온도 변화 구간 추가’, ‘이온주입 추가’, ‘CMP 추가’ 버튼도 표시됩니다.

각 단계에는 고유한 ‘단계 이름’, ‘해석 시간 (s)’, 단계별 입력이 있습니다. 확산 단계에서는 ‘윗면 경계 조건’과 ‘아랫면 경계 조건’도 설정합니다.

vFactory에서 첫 공정 모델 실행하기

예제 입력은 합성된 가정값입니다. 결과는 제공된 모델의 시뮬레이션이며 실측 생산 데이터가 아닙니다.