Menyusun resep proses wafer

Atur material, lapisan awal, dan tahapan proses yang digunakan oleh model wafer.

Membuka resep wafer

Dari menu produk, pilih vFactory → Proses wafer dan fabrikasi, lalu pilih Model proses. Pada Model simulasi, pilih Proses wafer. Langkah ini berlaku untuk Cloud dan Windows 2.1.2.3. Contoh awal menyediakan material, lapisan, dan urutan proses yang dapat diedit.

Untuk menu produk dan proses pertama Anda, lihat panduan proses pertama yang ditautkan di bawah.

Mengatur material dan lapisan awal

  1. Masukkan Nama resep. Di bagian Koefisien material, atur ID setiap material beserta nilai D₀ (nm²/s) dan Eₐ (eV). Pilih Tambah material untuk menambahkan material lain.

  2. Di bagian Lapisan awal dari permukaan, pilih material setiap lapisan dan masukkan ketebalannya dalam nm, jumlah sel, dan konsentrasi dalam cm⁻³. Lapisan pertama adalah lapisan permukaan.

  3. Pilih Tambah lapisan bawah untuk menambahkan lapisan di bawah lapisan yang sudah ada.

Model proses dengan Model simulasi diatur ke Proses wafer dan resep contoh Planar layer example. Koefisien material mencantumkan Material 1 substrate (D₀ 10 nm²/s, Eₐ 0 eV) dan Material 2 film (D₀ 2 nm²/s, Eₐ 0 eV), masing-masing dengan catatan bahwa lapisan atau tahapan proses menggunakannya, serta tombol Tambah material. Lapisan awal dari permukaan memiliki satu lapisan dengan material substrate, ketebalan 100 nm, 80 sel, dan konsentrasi 1000000000000000 cm⁻³, serta tombol Tambah lapisan bawah.

Contoh awal memiliki dua material dan satu lapisan permukaan. Ubah ID material, koefisien, dan nilai lapisan di sini, atau gunakan Tambah material dan Tambah lapisan bawah.

Mengubah ID material akan memperbarui referensinya dalam resep. Material yang digunakan oleh lapisan atau tahapan proses tetap dipertahankan sampai referensi tersebut diubah.

Menambahkan tahapan proses

  1. Di bagian Urutan proses, pilih Tambah deposisi, Tambah etsa, Tambah difusi, atau Tambah perubahan suhu. Tahapan baru muncul di akhir urutan.

  2. Isi Nama langkah dan Durasi (s) untuk setiap tahap. Untuk deposisi, tentukan material, laju pertumbuhan, sel baru, dan konsentrasi endapan. Untuk etsa, atur laju untuk setiap material.

  3. Untuk difusi, atur suhu dan langkah waktu maksimum. Untuk ramp termal, atur suhu awal dan akhir serta langkah waktu maksimum.

  4. Untuk kedua tahap difusi, pilih kondisi batas atas dan bawah. Pilih Tanpa fluks atau Konsentrasi tetap; pilihan terakhir juga menampilkan kolom konsentrasi.

  5. Pilih Jalankan simulasi untuk menghitung resep. Gunakan Simpan input untuk menyimpan input saat ini sebagai JSON.

Urutan proses dari resep contoh dengan tiga tahap. 1. deposisi, Deposit doped film: Durasi (s) 10, Material deposisi film, laju pertumbuhan 2 nm/s, dan 16 sel baru. 2. difusi, Anneal layers: Durasi (s) 30, 1000 K, langkah waktu maksimum 0.1 s, dan Tanpa fluks sebagai Kondisi batas atas dan Kondisi batas bawah. 3. etsa, Selective film etch: Durasi (s) 8, laju etsa substrate 0.1 nm/s, dan laju etsa film 1 nm/s. Tombol Tambah deposisi, Tambah etsa, Tambah difusi, Tambah perubahan suhu, Tambah implantasi ion, dan Tambah CMP juga ditampilkan.

Setiap tahap memiliki Nama langkah, Durasi (s), dan input tahapnya sendiri. Tahap difusi juga mengatur Kondisi batas atas dan Kondisi batas bawah.

Jalankan model proses pertama Anda di vFactory

Input contoh merupakan asumsi sintetis. Hasil menyimulasikan model yang diberikan, bukan data produksi hasil pengukuran.