建立晶圓製程配方

開啟晶圓配方

從產品選單選取 vFactory → 晶圓製程與晶圓廠，再選取 製程模型。在 模型 中選擇 晶圓製程。這些步驟適用於 Cloud 和 Windows 2.1.2.3。起始範例提供可編輯的材料、層和製程順序。

如需產品選單和首次執行的操作說明，請參閱下方連結的首次製程指南。

設定材料和初始層

1. 輸入 配方名稱。在 材料係數 下設定每種材料的 ID，以及 D₀ (nm²/s) 和 Eₐ (eV) 值。選取 新增材料 以新增另一種材料。

2. 在 由表面開始設定初始層 下選擇每層的材料，並輸入以 nm 為單位的厚度、網格數和以 cm⁻³ 為單位的濃度。第一層是表面層。

3. 選取 新增底層，在現有層的下方附加一層。

起始範例包含兩種材料和一個表面層。可在此處變更材料 ID、係數和層的值，也可使用「新增材料」和「新增底層」。

變更材料 ID 會更新配方中對該材料的參照。層或製程步驟使用的材料，會保留到這些參照變更為止。

新增製程步驟

1. 在 製程順序 下選取 新增沉積、新增蝕刻、新增擴散 或 新增溫度變化區段。新步驟會出現在順序的最後。

2. 為每個步驟設定 步驟名稱 和 分析時間 (s)。沉積步驟需選擇材料、生長速率、新增網格數和沉積濃度。蝕刻步驟需為每種材料設定速率。

3. 擴散步驟需設定溫度和最大時間步長。溫度斜坡步驟需設定起始溫度、結束溫度和最大時間步長。

4. 這兩種擴散步驟都需選擇頂部和底部的邊界條件。請選擇 無通量 或 固定濃度；後者還會顯示濃度欄位。

5. 選取 執行模擬 以計算配方。使用 儲存輸入資料 將目前輸入保留為 JSON。

每個步驟都有各自的「步驟名稱」、「分析時間 (s)」和步驟輸入。擴散步驟還會設定「頂面邊界條件」和「底面邊界條件」。

在 vFactory 中執行第一個製程模型

範例輸入為合成的假設值。結果是對所提供模型的模擬，而非實測生產資料。