构建晶圆工艺配方

打开晶圆配方

从产品菜单中选择 vFactory → 晶圆工艺与晶圆厂，然后选择 工艺模型。在 模型 中选择 晶圆工艺。这些步骤适用于 Cloud 和 Windows 2.1.2.3。初始示例提供可编辑的材料、层和工艺顺序。

有关产品菜单和首次运行的操作说明，请参阅下方链接的首次工艺指南。

设置材料和初始层

1. 输入 配方名称。在 材料系数 下设置每种材料的 ID，以及 D₀ (nm²/s) 和 Eₐ (eV) 值。选择 添加材料 以添加另一种材料。

2. 在 从表面开始设置初始层 下选择每层的材料，并输入以 nm 为单位的厚度、网格数和以 cm⁻³ 为单位的浓度。第一层是表面层。

3. 选择 添加底层，在现有层的下方追加一层。

初始示例包含两种材料和一个表面层。可在此处更改材料 ID、系数和层的值，也可使用“添加材料”和“添加底层”。

更改材料 ID 会更新配方中对该材料的引用。层或工艺步骤使用的材料会保留，直到这些引用被更改。

添加工艺步骤

1. 在 工艺顺序 下选择 添加沉积、添加刻蚀、添加扩散 或 添加变温阶段。新步骤会出现在顺序的末尾。

2. 为每个步骤设置 步骤名称 和 持续时间 (秒)。沉积步骤需选择材料、生长速率、新增网格数和沉积浓度。刻蚀步骤需为每种材料设置速率。

3. 扩散步骤需设置温度和最大时间步长。温度斜坡步骤需设置起始温度、结束温度和最大时间步长。

4. 这两种扩散步骤都需选择顶部和底部的边界条件。请选择 无通量 或 固定浓度；后者还会显示浓度字段。

5. 选择 运行仿真 以计算配方。使用 保存输入数据 将当前输入保存为 JSON。

每个步骤都有各自的“步骤名称”、“持续时间 (秒)”和步骤输入。扩散步骤还会设置“顶面边界条件”和“底面边界条件”。

在 vFactory 中运行第一个工艺模型

输入示例为合成假设值。结果是对所提供模型的模拟，而非实测生产数据。