使用 vFactory：探索晶圆厂，跟随设计到晶圆的流程
在 Digital Design Studio 中打开 vFactory，漫游参考晶圆厂、回放仿真、检查 EUV 模型，并跟随 Cloud 中的 GDS 版图生成虚拟晶圆。
打开 vFactory
vFactory 是 Digital Design Studio 内与 DDS、ALcad 并列的晶圆工艺和晶圆厂工作区。
在产品菜单中选择 vFactory → Wafer Process & Fab；晶圆厂场景默认启用。
Cloud 及 Windows、Linux 应用均提供此界面；项目文件操作取决于所选主机。
从 Reference fab 开始，或根据任务选择 Process models、Design to wafer、EUV calculation 或 EUV clip。
原始参考示例在四层空间中包含 300 台设备，布局可在 200–400 台设备之间调整，数值均明确标注其假设。
从产品菜单打开 vFactory。
漫游并选择视图
使用 2D map、3D map、Top view、Walk 或 Dollhouse 查看晶圆厂。
在 Walk 中将焦点置于视口，使用 W/S 前进或后退、A/D 侧移、Shift 奔跑。
在 3D 视图中拖动以环顾四周。
走近门并按 E；关闭的门、墙壁和设备会阻挡行走路线。
在 Stairs / elevator 下选择 Destination level 和 Connection，使用 Walk to connection，抵达后使用 Change level。
步行前往 EUV 区域并走近扫描机，直到出现 Look inside · EUV scanner {number}。
漫游参考晶圆厂并走近 EUV 实验室。
运行仿真并回放批次
在 Process models 中选择 Seeded fab simulation (v2)，检查模型输入，并在 Run simulation 可用时使用它。
相同的模型和种子可复现相同的运行；时间、故障、维护和组批由提供的模型决定。
对于已完成且记录了事件的运行，使用 Play simulation、Pause simulation、Restart playback 和 Playback speed，播放速度范围为 1× 到 100,000×。
选择一个批次或搜索其确切 ID，查看所选仿真时刻记录的批次状态；另行选择设备以查看设备状态。
已发布的默认仿真路径回放记录的批次和设备状态；不会生成 AMHS 车辆事件，也不会回放 OHT 车辆。仅有轨道布局不会产生车辆仿真。
在回放已记录的晶圆厂仿真时查看所选批次。
检查 EUV 扫描机与计算结果
在 Walk 中选择 Look inside · EUV scanner {number} 打开结构实验室，使用 Close inside view 或 Escape 返回。
请留意 Reconstruction · assumptions：结构依据公开信息和假设尺寸构建，并非制造用 CAD。
在 EUV calculation 中检查可编辑预设，并选择 Calculate EUV，查看从光源到晶圆的功率与光子预算。
扫描速度、每小时晶圆数和光学结果均为标注了假设的未校准计算，不是实测设备吞吐量。
12.5–14.5 nm 扫描计算固定使用 13.5 nm 的光学折射率；它不是实测光谱或色散模型。
查看重建的 EUV 扫描机及其假设标签。
阅读基于假设的 EUV 光量预算。
发送设计并查看虚拟晶圆
在具备相应能力的 Cloud 项目的 DDS GDS 查看器中，为投影结构选择“发送到 vFactory”，即可用该设计打开“从设计到晶圆”；在选择“运行从设计到晶圆仿真”之前，不会开始仿真。
交接以一个包含 25 片晶圆的批次开始；请选择“参考晶圆厂路径”，将批次数、晶圆数和投放间隔作为可编辑假设进行检查，并在运行前使用“计算预览”查看晶圆图和良率估计。
300 mm 晶圆图根据 GDS 边界确定裸片尺寸，并计入划片间距和边缘排除区域。
使用显示的缺陷密度假设比较 Poisson、Murphy 和负二项良率估计；这些是估计值，不是实测的良品裸片数量。
Lot completion and delivery 以仿真开始后的秒数表示；未完成批次没有完成或交付估计，整体交付需要所有请求的批次完成。
在设计到达之前，“从设计到晶圆”会显示没有设计来源，并一并显示可编辑的假设。“计算预览”和“运行从设计到晶圆仿真”保持不可用。
查看晶圆图、良率假设和模拟的批次交付。
对新模拟的批次使用 Follow lot in 3D；批次完成或选择其他批次时会停止跟随，重新打开的摘要文件不包含回放事件。
新的 DDS 交接会将 ISO 等级和下行气流关联到晶圆厂环境滑块；导入或重新打开的输入会保留其自身假设，直到明确建立关联。
检查 Design to wafer 输入，并让 ISO 等级和下行气流保持与晶圆厂环境滑块的关联。
更改这些已关联滑块会重新计算浓度、环境 D0、良率和预期良品裸片数，无须重新运行晶圆厂仿真；若支持项目保存，请明确保存修改后的结果。
ISO 等级是粒子浓度的代理指标，不是实测分布或认证；下行气流是未校准沉积假设的一部分。
温度、湿度、压力和振动没有建模的粒子、缺陷、良率或热效应。
导入自己的文件
要预览布局，请使用 Fab setup → Import fab layout 导入完整的 fab-model/v1 或 fab-model/v2 JSON 文件。
要转换源数据，请在带种子的 v2 模型中选择 Import fab data，并在运行前检查 Import diagnostics；必须先解决不完整或不受支持的源数据语义。
源文件导入器接受受支持的 .asd、.xlsx、.cf、.os、.pr、.rw、.ts、.vr、.rte、.txt 和 .csv 文件，以及 options.def；上限为 64 个文件，每个文件 32 MiB，总计 64 MiB。
Design to wafer 单独接受 DDS/tapeout 源 JSON 包及可选的组装/测试时长输入；其 JSON 导入上限为 1 MiB。
仅供导入的外部数据集须自行获取；产品不附带这些数据集，所提供的晶圆厂示例是合成数据。
外部导览、录像和供应商页面仅供查看参考；其截图、视频、CAD 和标志不会作为晶圆厂资源随产品提供。
使用时需了解的限制
Linux 桌面的 WebGL2 回退使用 Low 档；若 WebGPU 和 WebGL2 均不可用，晶圆厂会显示按实际比例绘制的 2D 平面图。
EUV clip 在本地计算薄掩模空中像；已发布版本不提供 Cloud 成像，请在设备限制内使用本地分块计算。
EUV 结构查看器用于解释重建的光学结构；其示意光线不是电磁、成像、热或振动仿真。
晶圆厂周期与交付时间、良率估计和 EUV 预算均为基于假设的模型结果，不代表制造签核或实际交付承诺。
发行说明记录了 Intel Iris Xe 在反复打开 EUV 内部视图或切换 Medium/Low 画质后共享 GPU 内存增长的问题。