使用 vFactory:探索晶圓廠並追蹤設計到晶圓的流程

在 Digital Design Studio 開啟 vFactory,步行探索參考晶圓廠、重播模擬、檢視 EUV 模型,並追蹤 Cloud GDS 佈局轉為虛擬晶圓的流程。

開啟 vFactory

  1. vFactory 是 Digital Design Studio 中的晶圓製程與晶圓廠工作區,與 DDS 和 ALcad 並列。

  2. 在產品選單中選取 vFactory → Wafer Process & Fab;晶圓廠場景預設已啟用。

  3. Cloud、Windows 和 Linux 應用程式均提供此介面;專案檔案操作取決於所選主機。

  4. 從 Reference fab 開始,或依工作選取 Process models、Design to wafer、EUV calculation 或 EUV clip。

  5. 原創參考範例在四個樓層配置 300 台設備,可調整為 200–400 台,數值的假設均有明確標示。

從產品選單開啟 vFactory。

從產品選單開啟 vFactory。

步行與選擇視圖

  1. 使用 2D map、3D map、Top view、Walk 或 Dollhouse 檢視晶圓廠。

  2. 在 Walk 中將焦點移至視窗,使用 W/S 前後移動、A/D 左右橫移,按 Shift 奔跑。

  3. 在 3D 視圖中拖曳以環顧四周。

  4. 靠近門並按 E;關閉的門、牆壁與設備會阻擋步行路徑。

  5. 在 Stairs / elevator 下選取 Destination level 和 Connection,使用 Walk to connection,抵達後再使用 Change level。

  6. 走到 EUV 區域並靠近曝光機,直到顯示 Look inside · EUV scanner {number}。

步行探索參考晶圓廠並靠近 EUV 實驗室。

步行探索參考晶圓廠並靠近 EUV 實驗室。

執行模擬並重播批次

  1. 在 Process models 中選取 Seeded fab simulation (v2),檢查模型輸入,並在 Run simulation 可用時使用它。

  2. 相同的模型與種子值可重現相同的執行結果;時間、故障、維護與批次處理均來自提供的模型。

  3. 對已完成且記錄了事件的執行,使用 Play simulation、Pause simulation、Restart playback 與 Playback speed,速度範圍為 1× 至 100,000×。

  4. 選取批次或搜尋其完整 ID,檢查它在所選模擬時間的記錄狀態;如需檢查設備狀態,請另外選取設備。

  5. 已發布的預設模擬流程會重播記錄的批次與設備狀態;不會產生 AMHS 車輛事件或重播 OHT 車輛。僅有軌道配置不會產生車輛模擬。

在重播晶圓廠記錄時檢查所選批次。

在重播晶圓廠記錄時檢查所選批次。

檢視 EUV 曝光機與計算

  1. 在 Walk 中選取 Look inside · EUV scanner {number} 開啟結構實驗室,使用 Close inside view 或 Escape 返回。

  2. 請留意 Reconstruction · assumptions:結構採用公開資訊與假設尺寸,並非製造用 CAD。

  3. 在 EUV calculation 中檢查可編輯的預設集,選取 Calculate EUV 以檢視光源到晶圓的功率與光子預算。

  4. 掃描速度、每小時晶圓數與光學結果是標示了假設的未校準計算,並非實測設備產能。

  5. 12.5–14.5 nm 掃描範圍計算固定使用 13.5 nm 的光學折射率;不是實測光譜或色散模型。

檢視重建的 EUV 曝光機及其假設標籤。

檢視重建的 EUV 曝光機及其假設標籤。

查看基於假設的 EUV 光量預算。

查看基於假設的 EUV 光量預算。

傳送設計並查看虛擬晶圓

  1. 在支援此功能的 Cloud 專案 DDS GDS 檢視器中,對投影結構選取「傳送至 vFactory」,即可用該設計開啟「從設計到晶圓」;在選取「執行從設計到晶圓模擬」之前,不會開始模擬。

  2. 傳送後會從一個含 25 片晶圓的批次開始;請選取「參考晶圓廠路徑」,檢查批次數、晶圓數與投料間隔這些可編輯的假設,並在執行前以「計算預覽」確認晶圓圖與良率估計。

  3. 300 mm 晶圓圖使用 GDS 邊界決定晶粒尺寸,並納入切割道間距與邊緣排除區域。

  4. 使用畫面顯示的缺陷密度假設,比較 Poisson、Murphy 與負二項良率估計;這些是估計值,並非實測良品晶粒數。

  5. Lot completion and delivery 的單位是從模擬開始起算的秒數;未完成的批次沒有完成或交付估計,且所有要求的批次都完成後才會顯示整體交付時間。

沒有設計來源的「從設計到晶圓」分頁。訊息說明沒有設計來源,並請傳送現有的 DDS 設計或匯入投片來源套件。畫面上還有「匯入 DDS / 投片來源」按鈕、幾何、良率與批次投料的輸入、ISO 等級與下吹氣流的「無塵室環境 · 假設」滑桿,以及無法使用的「計算預覽」與「執行從設計到晶圓模擬」按鈕。

在設計送達之前,「從設計到晶圓」會顯示沒有設計來源,並一併顯示可編輯的假設。「計算預覽」與「執行從設計到晶圓模擬」維持無法使用。

查看晶圓圖、良率假設與模擬批次交付時間。

查看晶圓圖、良率假設與模擬批次交付時間。

  1. 對新模擬的批次使用 Follow lot in 3D;批次完成或選取其他批次會停止追蹤,重新開啟的摘要檔不含重播事件。

  2. 新的 DDS 傳送會將 ISO 等級與下吹氣流連結至晶圓廠環境滑桿;匯入或重新開啟的輸入會保留自身假設,直到明確建立連結。

檢查 Design to wafer 輸入,並將 ISO 等級與下吹氣流保持連結至晶圓廠環境滑桿。

檢查 Design to wafer 輸入,並將 ISO 等級與下吹氣流保持連結至晶圓廠環境滑桿。

  1. 變更已連結的滑桿會重新計算濃度、環境 D0、良率與預期良品晶粒數,無須重新執行晶圓廠模擬;若支援儲存專案,請明確儲存修改後的結果。

  2. ISO 等級是粒子濃度的替代指標,並非實測分布或認證;下吹氣流屬於未校準沉積假設的一部分。

  3. 溫度、濕度、壓力與振動並未建立粒子、缺陷、良率或熱效應模型。

匯入自己的檔案

  1. 如需預覽配置,請在 Fab setup → Import fab layout 使用完整的 fab-model/v1 或 fab-model/v2 JSON 檔案。

  2. 如需轉換來源資料,請在種子值驅動的 v2 模型中選取 Import fab data,並於執行前檢查 Import diagnostics;必須先處理不完整或不支援的來源語意。

  3. 來源檔案匯入器接受支援的 .asd、.xlsx、.cf、.os、.pr、.rw、.ts、.vr、.rte、.txt 與 .csv 檔案,以及 options.def;上限為 64 個檔案、每個檔案 32 MiB、總計 64 MiB。

  4. Design to wafer 另外接受 DDS/tapeout 來源 JSON 套件,以及選用的組裝/測試時長輸入;JSON 匯入上限為 1 MiB。

  5. 僅供匯入的外部資料集須自行取得;產品不包含這些資料集,提供的晶圓廠範例是合成資料。

  6. 外部導覽、錄影與供應商頁面僅供觀看參考;其螢幕截圖、影片、CAD 與標誌不包含在產品的晶圓廠資產中。

使用時應留意的限制

  1. 在 Linux 桌面上,WebGL2 替代模式使用 Low 等級;當 WebGPU 和 WebGL2 都無法使用時,晶圓廠會顯示等比例的 2D 平面圖。

  2. EUV clip 在本機計算薄光罩空間影像;已發布版本無法使用 Cloud 成像,請在裝置限制內使用本機分塊計算。

  3. EUV 結構檢視器說明重建的光學結構,示意光線不是電磁、成像、熱或振動模擬。

  4. 晶圓廠週期與交付時間、良率估計及 EUV 預算都是含有假設的模型結果,不代表製造簽核或實際交期承諾。

  5. 版本資訊記錄了 Intel Iris Xe 在反覆開啟 EUV 內部視圖或切換 Medium/Low 品質後,共用 GPU 記憶體增加的情況。