瞭解無塵室濃度替代指標

追蹤從 ISO 等級與下吹氣流到環境 D0 與良率估計所用的假設。

在 從設計到晶圓 中,無塵室輸入會將 ISO 等級與下吹氣流連結至缺陷密度與良率估計。在 Cloud 與 Windows 應用程式中,已連結的滑桿使用參考晶圓廠環境;匯入的配置預覽則有獨立環境。請參閱 在 vFactory 中開啟參考晶圓廠 以開啟範例。

瞭解無塵室濃度替代指標

  1. 無塵室環境 · 假設

    ISO 等級 · 假設

    粒徑門檻 D (µm)

  2. Cn 替代值 (粒子/m³)

    Cn = 10^N × (0.1/D)^2.08

  3. 沉積粒子/cm²

    下吹氣流 (m/s)

    沉降速度 (m/s)

    暴露時間 (s)

    沉積比例 (0–1)

  4. 環境 D0 (缺陷/cm²)

    致命缺陷比例 (0–1)

從濃度到沉積

計算使用 Cn = 10^N × (0.1/D)^2.08 particles/m³。N 是 ISO 等級。D 是以 µm 為單位的粒徑門檻:Cn 代表直徑至少為 D 的粒子。計算採用單一累積門檻,因此不會將不同門檻下重疊的粒子群相加。

沉積粒子數/cm² = Cn ×(下吹氣流 + 沉降速度)× 暴露時間 × 沉積比例 ÷ 10,000。兩個速度的單位均為 m/s,暴露時間以秒計。除數用於將平方公尺換算為平方公分。

環境 D0 = 沉積粒子數/cm² × 致命缺陷比例。模型將此貢獻值加到 使用者 D0 (缺陷/cm²) · 假設 以得到 總 D0 (缺陷/cm²)。

閱讀輸入與估計值

已連結的控制項允許整數 ISO 等級 1–9,以及 0–1 m/s 的下吹氣流。獨立的 ISO 等級輸入可包含 1–9 範圍內的小數值。粒徑門檻 D (µm) 接受 0.1–5 µm。沉降速度與暴露時間必須非負;沉積比例與致命缺陷比例的範圍為 0 到 1。

Poisson、Murphy 與負二項機率使用以 cm² 為單位的有效晶粒面積,以及以 defects/cm² 為單位的總 D0。預期良品晶粒數等於已完成晶圓數 × 每片晶圓的晶粒數 × 各良率機率。

解讀環境變更

變更已連結的滑桿,會針對相同的模擬批次重新計算這些估計值。其週期時間與完成時間維持不變。

參考晶圓廠及其環境數值是示意假設。ISO 等級提供濃度替代指標,並非實測粒子分布或認證。環境到 D0 的對應關係未經校準;良率機率與預期良品晶粒數是估計值,並非實測生產結果。