計算 EUV 光學與光子收支
在 Cloud 2.1.2.10 或 Windows 2.1.2.3 的 EUV 計算中比較模型輸入與結果。
執行計算
在 vFactory 開啟 EUV 計算 並選擇光源預設值。
檢查 Mo/Si 多層膜 + Ru 蓋層、劑量與掃描假設 與 光子計算假設。各數值須在顯示範圍內。
選擇 計算 EUV。
多層膜輸入定義反射率模型。計算後，平面光學響應繪出 s 偏振與 p 偏振對波長的反射率。
閱讀結果
光收支 顯示各階段功率、劑量、掃描速度及每小時晶圓數。
平面光學響應 顯示隨波長與角度變化的 s、p 反射率，以及 13.5 nm 的 R / T / A。開啟 波長資料表 或 角度資料表 查看精確數值。
光子收支與雜訊 顯示光子能量、平均數量與理想帕松變異數。請同時檢查 來源與假設。
光子收支與雜訊比較 13.5 nm 的入射與吸收光子數及其理想帕松變異數。
這些是基於假設的模型輸出，並非實測設備產能或對真實晶圓廠的預測。波長掃描固定使用 13.5 nm 的光學指數；理想帕松統計不預測光阻缺陷或良率。