瞭解 EUV 結構模型與計算

區分教學用結構模型與光學預算結果,並閱讀各視圖的假設。

vFactory 的 EUV 結構視圖與計算工具回答不同的問題。兩者皆可在 Cloud 與 Windows 應用程式中使用。

EUV 結構與光學計算

區分教學用結構模型與光學預算結果,並閱讀各視圖的假設。

輸入

  • 1. 重建・假設:公開結構、假設尺寸
  • 3. 光學輸入

模型 / 操作

  • 2. 教學重建
  • 4. 計算 EUV

結果

  • 5. 光收支
  • 6. 平面光學響應
  • 7. 光子收支與雜訊

連線

  • 1. 重建・假設:公開結構、假設尺寸 → 2. 教學重建: →
  • 3. 光學輸入 → 4. 計算 EUV: →
  • 4. 計算 EUV → 5. 光收支: →
  • 4. 計算 EUV → 6. 平面光學響應: →
  • 4. 計算 EUV → 7. 光子收支與雜訊: →

使用 vFactory:探索晶圓廠並追蹤設計到晶圓的流程

結構模型呈現的內容

參考晶圓廠 的內部視圖呈現教學用的掃描機重建模型,可協助您沿著光路查看並辨識元件。

模型的幾何形狀與元件配置依據公開資訊與假設建立。在內部視圖中選擇 來源,即可閱讀參考資料。

光學預算計算的內容

EUV 計算 使用您提供的光源、多層膜、劑量、掃描與光子輸入值,計算光路上的功率、平面光學響應,以及光子數與理想卜瓦松變異數。

變更輸入值會清除先前的結果。請重新計算,以取得新輸入值的結果。

搭配假設閱讀結果

在 Cloud 上,展開 來源與假設,查看各輸入值的來源或假設。在 Windows 上,查看各輸入值範圍旁的標籤。比較計算結果時,請一併保留輸入值。

結構視圖說明模型的配置;預算則提供對應輸入值的計算數值。閱讀時,請分別參照各自的假設。

結構模型是重建模型,計算結果取決於所提供的假設;兩者皆非真實掃描機或晶圓廠的測量結果。