將無塵室假設連結至參考晶圓廠

使用參考環境滑桿，重新計算缺陷密度、良率與預期良品晶粒數的估計值。

在 Cloud 與 Windows 應用程式中，將 從設計到晶圓 中的 ISO 等級與下吹氣流假設連結至參考晶圓廠環境。開始前請先載入有效的設計來源；《使用 vFactory：探索晶圓廠並追蹤設計到晶圓的流程》中說明了設計交接流程。

設定參考環境

  1. 選取 參考晶圓廠，再開啟 晶圓廠設定 → 環境。此連結使用參考晶圓廠範例；匯入的配置預覽會維持獨立的環境。

  2. 調整 空氣微粒潔淨度（粉塵） 與 下降氣流速度。範圍分別為 ISO 等級 1–9 與 0–1 m/s。

  3. 選取 從設計到晶圓。在 無塵室環境 · 假設 下選取 ISO 等級與下吹氣流請用晶圓廠環境滑桿。這兩個滑桿會取代獨立的 ISO 等級與下吹氣流欄位。

從設計到晶圓中的無塵室環境 · 假設，已勾選 ISO 等級與下吹氣流請用晶圓廠環境滑桿：空氣微粒潔淨度（粉塵）滑桿位於 ISO 14644-1 等級 5（允許 1–9），下降氣流速度滑桿位於 0.40 m/s（允許 0–1 m/s），以及粒徑門檻、沉降速度、暴露時間、沉積比例與致命缺陷比例輸入。

選取核取方塊後，兩個連動的滑桿會取代分開的 ISO 等級與下吹氣流欄位。

匯入、主機提供及重新開啟的輸入會保留自身假設，直到您勾選此核取方塊。建立連結後會採用目前的參考環境。粒徑門檻、沉降速度、暴露時間、沉積比例與致命缺陷比例會保留現有值。

檢查重新計算的結果

  1. 選取 計算預覽 以閱讀 幾何與良率估算，其中包含 Cn 替代值 (粒子/m³)、環境 D0 (缺陷/cm²) 與良率機率。

  2. 執行完成後，移動任一已連結的滑桿。已依目前環境重新計算 表示已針對相同的模擬批次重新計算良率與預期良品晶粒數。

  3. 若顯示 將此結果儲存至專案，請選取以儲存修改後的結果。重新計算的結果不會自動儲存。

使用獨立數值

取消勾選核取方塊，將最新數值保留為獨立的數值輸入。先前匯入的數值不會還原。編輯數值輸入會清除目前的結果；請再次使用 計算預覽 或 執行從設計到晶圓模擬。

參考晶圓廠與環境數值是示意假設。ISO 濃度替代指標與沉積對應關係是未校準的估計，並非實測潔淨度、良率或認證。