EUV 裁切參數
查閱本機 EUV 成像的裁切規劃預設值與光學請求值。
本參考文件適用於 Cloud 2.1.2.10 與 Windows 2.1.2.3 中的 vFactory。
EUV 裁切 可設定匯入 GDS 幾何形狀的本機成像。幾何形狀與切線使用光罩 nm。本機成像須提供明確的光學設定。
裁切規劃
規劃器將暈邊向上取整至光柵間距的整數倍。每次執行接受最多 64 個分塊。
欄位 | 匯入後的初始值 |
|---|---|
圖層與資料型別 | 第一個匯入多邊形的圖層。 |
區域 X（光罩 nm）, 區域 Y（光罩 nm） | 第一個匯入多邊形的最小 X 與 Y。 |
區域寬度（光罩 nm）, 區域高度（光罩 nm） | 第一個多邊形的範圍，各軸限制在 4–512 nm。 |
光柵解析度（光罩 nm） | 4 |
暈邊（光罩 nm） | 32 |
分塊大小（光罩 nm） | 512 |
光學請求
以下範圍為數值輸入所顯示的值。離焦值是以逗號分隔且互不重複的有限數。
欄位 | 初始值；輸入值 |
|---|---|
波長 (nm) | 13.5；從 0.001 起 |
數值孔徑 | 0.33; 0.001–0.55 |
遮蔽率 | 0; 0–0.999 |
照明光源 | 傳統; 傳統, 環形, 雙極, 四極, 像素光源 |
離焦清單（nm） | 0；1–32 個值 |
閾值（Iref = 1） | 0.5；從 0.001 起 |
輸出網格寬度, 輸出網格高度 | 各為 64；2 至 512 的整數 |
進階光學設定
明確光學資料（JSON） 包含 stack、absorber、chiefRayDeg、polarization、transport 與 reflectionPlaneNm。周圍介質折射率為 {re: 1, im: 0}；偏振為 x 或 y；傳輸為 ideal-vector-v1 或 euvlitho-vector-v1。
Zernike（JSON） 接受最多 37 項，Noll 索引為 1 至 37 且互不重複，coefficientWaves 以波長為單位。像素光源點（JSON） 接受單位瞳孔內的 1–256 個點，權重非負且總和為正。
數值計算（JSON；null 使用引擎預設值） 接受 null，或 refinements 為 2 或 3、選用 method 為 abbe、hopkins 或 socs 的設定。光罩取樣（JSON；null 使用引擎預設值） 接受 null、連續取樣，或寬高為 1 至 8192 整數的像素取樣。
相關指南
參考晶圓廠的配置、製程資料與結果採用範例假設。