EUV 광학계와 광자 수지 계산하기

Cloud 2.1.2.10 또는 Windows 2.1.2.3의 EUV 계산에서 모델 입력값과 결과를 비교합니다.

계산 실행하기

vFactory에서 EUV 계산을 열고 광원 프리셋을 선택하세요.

Mo/Si 다층막 + Ru 캡, 선량 및 스캔 가정, 광자 계산 가정을 검토하세요. 각 값은 표시된 범위 안에 입력하세요.

EUV 계산하기를 선택하세요.

Mo/Si 다층막 + Ru 캡 입력(Mo/Si 주기 수, Mo 두께, Si 두께, Ru 캡 두께, 법선 기준 입사각 0°, 조명계 반사 횟수, 마스크 반사 횟수, 투영계 반사 횟수), 첫 선량 및 스캔 가정 입력, 선량 및 스캔 결과, s 편광과 p 편광의 파장에 따른 반사율을 나타내는 평면 광학 응답 차트.

다층막 입력은 반사율 모델을 정의합니다. 계산 후 평면 광학 응답은 s 편광과 p 편광의 반사율을 파장에 대해 표시합니다.

결과 읽기

광 수지에는 단계별 출력, 선량, 스캔 속도와 시간당 웨이퍼 수가 표시됩니다.

평면 광학 응답에는 파장과 각도에 따른 s·p 반사율과 13.5 nm에서의 R / T / A가 표시됩니다. 정확한 값은 파장별 데이터 표 또는 각도별 데이터 표를 여세요.

광자 수지 및 잡음에는 광자 에너지, 평균 개수와 이상적인 푸아송 분산이 표시됩니다. 결과와 함께 출처 및 가정을 검토하세요.

EUV 계산하기 이후 결과: s 편광과 p 편광의 반사율, 투과율, 흡수율이 같은 13.5 nm에서의 R / T / A 표와, 흡수 비율 0.5로 100 nm²에 대한 20 mJ/cm²의 광자 수지 및 잡음 표. 표는 광자 에너지, 입사 및 흡수 평균 광자 수와 각각의 이상적인 푸아송 분산을 나열합니다.

광자 수지 및 잡음은 13.5 nm에서 입사 및 흡수 광자 수와 이상적인 푸아송 분산을 비교합니다.

vFactory

이 수치는 가정에 따른 모델 출력이며 측정한 장비 처리량이나 실제 팹의 예측값이 아닙니다. 파장 스윕은 13.5 nm의 광학 지수를 고정하며, 이상적인 푸아송 통계는 레지스트 결함이나 수율을 예측하지 않습니다.