计算 EUV 光学与光子收支
在 Cloud 2.1.2.10 或 Windows 2.1.2.3 的 EUV 计算中比较模型输入与结果。
运行计算
在 vFactory 中打开 EUV 计算 并选择光源预设。
检查 Mo/Si 多层膜 + Ru 盖层、剂量和扫描假设 和 光子计算假设。各数值须在显示范围内。
选择 计算 EUV。
多层膜输入定义反射率模型。计算后，平面光学响应绘出 s 偏振和 p 偏振对波长的反射率。
阅读结果
光收支 显示各阶段功率、剂量、扫描速度及每小时晶圆数。
平面光学响应 显示随波长和角度变化的 s、p 反射率，以及 13.5 nm 的 R / T / A。打开 波长数据表 或 角度数据表 查看精确数值。
光子收支和噪声 显示光子能量、平均数量和理想泊松方差。请同时检查 来源和假设。
光子收支和噪声比较 13.5 nm 的入射与吸收光子数及其理想泊松方差。
这些是基于假设的模型输出，并非实测设备产能或对真实晶圆厂的预测。波长扫描固定使用 13.5 nm 的光学指数；理想泊松统计不预测光刻胶缺陷或良率。